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高压TrenchIGBT的研制
资料介绍
摘要：介绍了当前绝缘栅双极晶体管（ICBT）的几种结构及沟槽型IGBT的发展现况，分析了高电压沟槽型非穿通（NPT）IGBT的结构及工艺特点。通过理论分析计算出初步器件的相关参数，再利用ISE仿真软件模拟器件的结构及击穿和导通特性，结合现有沟槽型DMOS工艺流程，确定了器件采用多分压环加多晶场板的复合终端、条状元胞、6um深度左右沟槽、低浓度背面掺杂分布与小于180Lm厚度的器件结构，可以很好地平衡击穿特性与导通特性对器件结构的要求。成功研制出1 200 V沟槽型NPT系列产品，并通过可靠性考核，经过电磁炉应用电路实验，结果表明ICBT器件可稳定工作，满足应用要求。该设计可适合国内半导体生产线商业化生产。
关键词：电力半导体器件；高压；沟槽；非穿通；绝缘栅双极晶体管
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| 高压TrenchIGBT的研制.pdf | 2M |
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