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适用于tpms芯片中otp供电ldo的设计
资料介绍
本文首先分析了OTP的供电要求和性能指标、LDO的系统结构和原理，然后在此基础上提出了一种结构简单、低功耗的OTP供电LDO设计方案，并完成了带隙基准源、误差放大器和偏置电路等模块的电路设计。LDO计方案采用具有带宽宽、稳定性好的对称误差放大器作为LDO系统中的误差放大器，并结合密勒补偿技术和增加零点技术，优化了LDO的系统稳定性和瞬态特性。
另外，论文还根据TPMS-Chip使用需求，该LDO设计方案增加了休眠功能。
在TPMS系统完成了初始化参数后，休眠OTP供电LDO，实现了低功耗的设计目标。
所设计的LDO将锂电池提供的2.0V至3.6V的电源电压转化为1.8V稳定的OTP供电电压。采用中芯国际（SMIC）0.18um标准CMOS工艺，对所设iLDO功能模块和整体电路进行了直流特性、交流特性、瞬态特性等仿真分析。以TT工艺角为例，其线性调整率为1.4mV/，负载调整率为2.14uV/mA，电源抑制比为-61.6dB，相位裕度为78.3deg.所设计的LDO的性能指标达到了预期的设计目标，满足TPMS中OTP模块供电的要求。
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资料：bitboy
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