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EMC新技术与前沿方向设计.docx

更新时间:2026-09-09 10:55:36 大小:38K 上传用户:潇潇江南查看TA发布的资源 标签:EMCSTM32G474SiCGaN宽禁带器件 下载积分:2分 评价赚积分 (如何评价?) 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

EMC新技术与前沿方向技术设计

1 引言

EMC技术随着电力电子技术发展不断进步,宽禁带器件、无线充电、智能电网等新技术对EMC提出新挑战,也带来新机遇。本文基于STM32G474嵌入式平台,探讨EMC新技术与前沿方向的技术方案。

2 宽禁带器件EMC

2.1 SiC器件EMC

SiC器件特性:SiC开关特性(SiCMOSFET,开关,速度快,dv/dt>50kV/μsdi/dt>10kA/μs,频率,>100kHzSiC数据,开关,dv/dtdi/dt,数据保存周期,>5年,SiC器件应用,EMC,设计,抑制,挑战)、SiC EMI抑制(SiCEMI,滤波,高频,磁芯,材料,高频,磁珠,布局,优化,SiC EMI数据,抑制,滤波,高频,数据保存周期,>5年,SiC EMI抑制应用,EMC,设计,器件,SiC)。

2.2 GaN器件EMC

GaN器件EMCGaN开关特性(GaNHEMT,高频,>1MHzdv/dt>100kV/μs,封装,寄生,小,GaN数据,开关,高频,dv/dt,数据保存周期,>5年,GaN器件应用,EMC,设计,挑战,机遇)、GaN EMI抑制(GaNEMI,设计,高频,滤波,PCB,布局,关键,驱动,优化,GaN EMI数据,设计,滤波,布局,数据保存周期,>5年,GaN EMI抑制应用,EMC,设计,器件,GaN)。

3 无线充电EMC


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