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静电防护与ESD保护技术设计.docx

更新时间：2026-09-09 10:52:15 大小：38K 上传用户：潇潇江南查看TA发布的资源 标签：静电防护ESD保护STM32G474嵌入式系统电磁干扰 下载积分：2分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

静电防护与ESD保护技术设计

1 引言

静电放电是电子设备最常见的电磁干扰源，ESD可造成设备损坏、数据错误和系统故障。有效的ESD防护是保障电子设备可靠性的重要措施。本文基于STM32G474嵌入式平台，探讨静电防护与ESD保护的技术方案。

2 ESD原理

2.1 静电产生

静电产生机理：摩擦起电（摩擦，两种，不同，材料，接触，分离，电荷，转移，静电，电压，1-15kV，摩擦数据，材料，电压，电荷，数据保存周期，>5年，摩擦起电应用，ESD防护，材料，选择）、感应起电（静电，感应，带电，物体，靠近，导体，电荷，重新，分布，感应，电压，感应数据，感应，电压，电荷，数据保存周期，>5年，感应起电应用，ESD防护，屏蔽，接地）。

2.2 ESD模型

基于STM32G474的ESD分析终端实现：HBM模型（人体，模型，HBM，100pF，1.5kΩ，放电，波形，上升，<1ns，峰值，>10A，HBM数据，电容，电阻，波形，数据保存周期，>5年，HBM模型应用，ESD，防护，设计，测试）、CDM模型（充电，器件，模型，CDM，器件，充电，放电，引脚，接地，峰值，>10A，CDM数据，电容，放电，波形，数据保存周期，>5年，CDM模型应用，ESD，防护，设计，测试）。

3 ESD防护设计

3.1 防护器件

基于STM32G474的ESD防护终端实现：TVS管（TVS，瞬态，电压，抑制，响应，快，<1ns，功率，>400W，电压，5-36V，应用，IO，电源，接口，TVS数据，电压，功率，响应，数据保存周期，>5年，TVS管应用，ESD，防护，接口，电源）、压敏电阻（压敏，电阻，电压，范围，18V-1kV，能量，>1J，响应，<25ns，应用，电源，AC，DC，压敏数据，电压，能量，响应，数据保存周期，>5年，压敏电阻应用，ESD，防护，电源，浪涌）。


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