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屏蔽技术与电磁场防护设计.docx
资料介绍
屏蔽技术与电磁场防护设计
1 引言
屏蔽是抑制电磁干扰、保护设备免受电磁场影响的重要手段。通过屏蔽体反射和吸收电磁波，可以显著降低电磁干扰水平。本文基于STM32G474嵌入式平台，探讨屏蔽技术与电磁场防护的设计方案。
2 屏蔽原理
2.1 屏蔽效能
屏蔽效能定义：SE（屏蔽效能，SE=R+A+B，R反射损耗，A吸收损耗，B多重反射修正，dB，SE>60dB，良好，SE>80dB，优秀，SE数据，SE，频率，材料，数据保存周期，>5年，屏蔽效能应用，屏蔽设计，材料选型，EMC）、反射损耗（反射损耗，R，电磁波，屏蔽体，表面，反射，阻抗，失配，电场，>100dB，磁场，<10dB，R数据，反射，损耗，阻抗，数据保存周期，>5年，反射损耗应用，屏蔽，设计，材料）、吸收损耗（吸收损耗，A，电磁波，屏蔽体，内部，吸收，趋肤，深度，厚度，A=8.68t/δ，dB，A数据，吸收，损耗，厚度，数据保存周期，>5年，吸收损耗应用，屏蔽，设计，材料）。
2.2 趋肤效应
基于STM32G474的屏蔽参数计算终端实现：趋肤深度（趋肤深度，δ，电流，集中在，表面，δ=√(2/ωμσ)，mm，频率，越高，δ，越小，铜，1MHz，δ=0.067mm，1GHz，δ=0.002mm，趋肤深度数据，δ，频率，材料，数据保存周期，>5年，趋肤深度应用，屏蔽，设计，材料）、屏蔽材料（铜，导电，好，反射，好，δ小，铝，导电，好，轻，钢，导磁，好，吸收，好，铁，导磁，吸收，材料数据，导电，导磁，屏蔽，数据保存周期，>5年，屏蔽材料应用，屏蔽，设计，选型）。
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| STM32G474逆变器_技术文件_1304_屏蔽技术与电磁场防护设计.docx | 38K |
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