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_数字电源系统SiCMOSFET电流检测与温度补偿校准.docx

更新时间：2026-09-03 08:59:27 大小：39K 上传用户：烟雨查看TA发布的资源 标签：数字电源系统SiC MOSFET电流检测温度补偿STM32G474 下载积分：2分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

数字电源系统SiC MOSFET电流检测与温度补偿校准

1 SiC MOSFET电流检测概述

SiC MOSFET的电流检测是逆变器控制与保护的核心功能，检测精度直接影响控制性能与保护可靠性。基于STM32G474的逆变器在采用SiC MOSFET方案时，电流检测面临高温下Rds(on)变化、开关噪声干扰、共模电压高等挑战。电流检测方法包括：Rds(on)检测（利用导通电阻，成本低但精度受温度影响）、分流电阻检测（精度高但有损耗）、霍尔传感器检测（隔离型但成本高）、电流互感器检测（仅交流）。温度补偿与校准是提升电流检测精度的关键，目标：检测精度±2%（校准后），带宽≥200kHz，响应时间≤1μs。

2 Rds(on)电流检测

利用SiC MOSFET导通电阻Rds(on)进行电流检测：

2.1 检测原理：I_d=V_ds(on)/Rds(on)，通过检测导通时的漏源电压V_ds(on)计算电流。Rds(on)随温度变化（温度系数约0.5%/℃），需进行温度补偿。检测电路：使用差分放大器（INA240，增益50V/V，CMRR≥120dB）放大V_ds(on)。

2.2 温度补偿：Rds(on)(T_j)=Rds(on)(25℃)×(1+α×(T_j-25))，α≈0.005/℃。使用NTC热敏电阻或内部温度传感器监测结温，根据温度补偿公式计算实际电流。温度补偿后精度：±2%（25℃~125℃）。

2.3 检测范围：V_ds(on)=0~10mV（额定电流时），使用差分放大器放大至0~0.5V（ADC输入范围）。检测范围下限受放大器噪声限制（约100μV，对应0.1A@1mΩ）。

2.4 局限性：Rds(on)检测在低电流时精度较差（V_ds(on)小，信噪比低），不适合轻载（<10%额定电流）的电流检测。Rds(on)检测的带宽受放大器带宽限制（约200kHz），适合中低频电流检测。


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