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在SOI硅片上制造磁敏差分电路
资料介绍
摘要：阐述基于S0l硅片制造新型P’-1-N双注入磁敏差分电路的设计原理和制造工艺。
构成新型P*-I-N*双注入磁敏差分电路的磁敏三极管的复合区采用MEMS中的各向异性腐蚀技术和喷砂工艺进行设置，给出了这种复合区的复合机理。实验结果表明，此种三极管具有磁灵敏度高和可靠性高的特点。因此由这种新型磁敏三极管构成的差分电路还具有温漂小的优点。
关键词：S01；磁敏三极管；MEMS；各向异性腐蚀
SOI（Silicon On Insulator）1]技术在微电子领域中具有比传统的体硅技术优越的特性，可望成为二十一世纪的主流硅基集成电路技术。目前，主流的SOl制备技术是注氧隔离SIMOX（Separation by Im-
planted Oxygen）技术和键合加背面减薄BESO（Bon-ding and Etch-back）技术。SIMOX可制备上层硅膜和埋层Si0，层均匀的薄膜SOl（TFSOlD材料，是目前最成熟的SOI制备技术[2-3]。
随着科学技术的进步，近年来人们对弱小磁场测量的要求越来越迫切，用霍尔元件做探头的特斯拉计，一般能够测量10*T量级的低磁场。再低的磁场，因霍尔元件具有一定噪声，难以分辨出其大小。得到广泛应用的霍尔元件灵敏度在0.1T作用下输出是l.2mV/mA左右，可见霍尔元件满足不了人们对弱小磁场测量的要求。为此，需要采用降低器件的噪声以提高信噪比[4-]。
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