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SJ_T 11773-2021 半导体集成电路冲压型引线框架
资料介绍
SJ_T 11773-2021 半导体集成电路冲压型引线框架
1范围
本标准规定了半导体集成电路冲压型引线框架术语和定义、技术要求、检测及验收规定，标志、结存等。
本标准适用子半导体集成电路冲压型引线板架
2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修政单）适用于本文件GB/T2828.1计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限（A0L）检煮的逐批检验抽样计划GB/T7092半导体集成电路外形尺寸
GB/T14112半导体集成电路更科双列封装冲制型引找根架规范
GB/T1413半导体集成电路封装术语
3术语与定义
GB/T14113-1993界定的术语与定义适用于本文件.
4技术要求4.1毛刺
在引线框架任何部位，竖直毛制不大于0，025m，水平毛刺不大于0.05m：
42凹坑和压痕
凹抗和压痕的要求如下：
a）在功能区和外引线上的压痕，深度成不大于0.013m，压痕长度应不大于0.13：
）功能区和外引线以外的区域压痕深度应不大于0.05m，长度应不大于0.13m.
4.3镀层
腰层表面应致密，色泽均匀呈废层本色，不允许有肉眼可见的起皮，起泡、发花，斑点，沾污，异物等缺陷。应无被层漏战并符合相关要求。
4.4外形尺寸
引线框架外形尺寸应符合闹/T792有关规定及引线艇果设计文件的要求。
4.5厚度公差
46侧弯
引钱框架侧弯每152m应不大于0.051m
4.7横弯
引线据架横弯不大于引线样架宽度的0.5。
4.8精压区
精压区的要求如下：
）引线精压区的宽度不小于对应精压部位的0%：
b）引线精压后的深度不大于材祥厚度的30%，引线框架精压深度为（0.0130，05）m：
©）设计文件上标明的尺寸为精压前尺寸：
）每边最大精压凸起应不大于0.051m，如有特殊要求，应按供需双方协议实施。
49扫曲
引线框架在长度上扭曲应不大于0.51mm
4.10卷曲
引线框架参曲每152m应不大于0.51n
4.11引线柜架芯片粘结区打凹深度公差
从芯片桔结区中心到连筋上的一点测量时，应符合极限偏差土0.10m范围内，
4.12芯片粘结区的角度偏差和平面度
4.121角度偏差
在未打凹的情况下，每2.54加m长度最大候斜0，025m，在打四的情况下，每2.54m长度最大慎斜
0.051m.
412.2平面度
从中心到四个角的中点进行测量制，每2.54mm芯片粘结区长度内不大于0.005m。拐角处被规定为距每边0.127m处413定位孔位置偏差
引线框架定位孔中心到边缘的对移性为标称尺寸土0.051m范围内，如图1。
4.14内引线端部精压区共面性
内引线端驾精压区共面性应不大于0.152m，4.15内引线端部精压区与引线连筋区的平面性内引线增部精压区与引线连筋区的平而性应不大于士0.102m。
4.16内引线端部精压区翘曲
内引线端部精压区翘曲应不大于2.5°，如图2.
部分文件列表
| 文件名 | 大小 |
| SJ_T_11773-2021_半导体集成电路冲压型引线框架.pdf | 2M |
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