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SJ_T 11768-2020 电阻器低频噪声参数测试方法

更新时间:2023-12-12 12:51:39 大小:3M 上传用户:sun2152查看TA发布的资源 标签:电阻器 下载积分:8分 评价赚积分 (如何评价?) 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

SJ_T 11768-2020 电阻器低频噪声参数测试方法 电子元器件低频噪声参数测试方法的系列标准包括:《电子元器件低频噪声参数测试方法通用要求》 和具体电子元器件的低频噪声参数测试方法,后者包括但不限于:《晶体管低频噪声参数测试方法》、 《二极管低频噪声参数测试方法》、《光电耦合器件低频噪声参数测试方法》、《电阻器低频噪声参数测试方法》。 本标准按照 GB/T 1.1-2009 给出的规则起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担这些专利的责任。 本标准由基于低频噪声技术的电子元器件可望性无树检测标准工作组归口。 范围 本标准规定了电阻器低频噪声参数测试方法及要求。 本标准适用于电阻器在 1 Hz~300 kHiz 频率范围内低频噪声参数的测试。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。 凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。 SJ/T 11769 电子元器件低频噪声参数测试方法通用要求3 术语和定义 SI/T 11769 界定的以及下列术语和定义适用于本文件。 3.1过剩噪声电压 excess noise voltage电阻器两端的噪声电压减去自身热噪声电压的差。 注:用C表示,单位为伏特(V) 3.2过剩噪声电压功率谱密度 power spectral density of excess noise voltage电阻器的噪声电压功率谱密度减去自身热噪声电压功率谱密度的差。注:用Sy(f)表示,单位为电压平方每酵线(V/Hz)。 3.3过剩噪声指数excess noise index电阻器两端每一伏特直流电压在十倍频程内产生的过剩噪声电压有效值的量度。 注:用NI表示,单位为分贝(dB). 测试条件及要求 除SIT 11769规定的通用要求外,电阻器的低频噪声参数测试条件还应符合下列要求:a) 电阻器的低频噪声参数包括过剩噪声电压、过剩噪声电压功率谱密度和过剩噪声指数。 电阻器低频噪声参数测试在热平衡条件下进行(要有足够测试稳定时间,通常为1min~3min)。 偏置电压、稳定时间及测试时间的选取,均不应使得被测电阻器出现明显温升《被测电阻器外表温度不应超过环境温度 5℃). b) 电阻器低频噪声测试频率范围:低端截止频率不高于f//3,高端截止频率不低于 30f d) e)去除所能加电压偏置,在无偏置条件下,按照 6.2 b)~6.2 d)的步骤,进行热噪声电压测试: f)由 6.2 d)得到的噪声电压减去 6.2 e)得到的热噪声电压,获得被测电阻器的过剩噪声电压。 6.3 过剩噪声电压功率谱密度 按照下列步骤,完成过剩噪声电压功率谱密度测试: a)接入被测电阻器,对应不同阻值范围的被测样品,按照 4 e)要求进行偏置条件设置: b)调节低噪声前置放大器的带宽和增益,使放大器的输出信号在数据采集分析设备的量程内;c)设置数据采集分析设备的采样率、频谱分辨率和平均次数。除另有规定外,测量平均次数不少于 16 次: d)进行噪声电压功率谱密度测试: e)去除所施加电压偏置,在无偏置条件下,按照 6.3 b)~6.3d)的步骤,进行热噪声电压功率谱密度测试: f)由 6.3 d)得到的噪声电压功率谱密度减去 6.3 e)得到的热噪声电压功率谱密度,获得被测电阻器的过剩噪声电压功率语密度。 6.4 过剩噪声指数 按照下列步骤,完成过剩噪声指数测试: a)按照 6.3 要求,测试得到过剩噪声电压功率谱密度;b)按照公式(1)计算十倍频程内被测电阻器的过剩噪声电压有效值:

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