SJ_T 11767-2020 二极管低频噪声参数测试方法

更新时间：2023-12-13 13:03:33 大小：3M 上传用户：sun2152 查看TA发布的资源 标签：二极管 下载积分：9分评价赚积分（如何评价?）打赏收藏评论(0) 举报

资料介绍

SJ_T 11767-2020 二极管低频噪声参数测试方法电子元器件低频噪声参数测试方法的系列标准包括：《电子元器件低频噪声参数测试方法通用要求》和具体电子元器件的低频噪声参数测试方法，后者包括但不限于：《晶体管低频噪声参数测试方法》、《二极管低频噪声参数测试方法》、《光电耦合器件低频噪声参数测试方法》、《电阻器低频噪声参数测试方法》等。本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担这些专利的责任。本标准由基于低频噪声技术的电子元器可播无测检测标准工作组归口。范围本标准规定了二极管 1 Hz~300 kHz 频率范围内的噪声参数测试方法及要求。 2规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T 4023 半导体器件分立器件和集成电路第 2 部分：整流二极管GB/T 6571 半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管SJ/T 11769 电子元器件低頻噪声参数测试方法通用要求3 术语和定义 GB/T 4023、GB/T 6571 和 SJ/T 11769界定的术语和定义适用于本文件。 4测试条件及要求除SIT 11769的通用要求外，二极管的低频噪声测试条件还应符合下列要求：a）测试参数包括噪声电压和噪声电压功率谱密度。 b）典型工作模式为正向的，偏置电压为正：典型工作模式为反向的，偏置电压为负。 c）低频噪声测试的偏置电压或偏置电流的数值应按照产品详细规范确定，除另有规定外，根据被测二极管的参数测试条件，二极管的正向导通电压或反向工作电流的测试偏置条件分别作为低频噪声参数的测试偏置条件， 5 测试系统的构成及要求 5.1通则低频噪声测试系统的构成及要求应符合SJ/T 11769的规定。 5.2 测试偏置电路根据二极管的使用偏置状态，二极管低频噪声参数测试偏置状态包括正偏和反偏两种典型状态二极管低频噪声测试偏置电路原理如图1和图2所示，低噪声电源提供偏置电压，RL为负载电阻，二极管两端的噪声电压信号输出到低噪声前置放大器，低噪声前置放大器的+/一表示信号的同向输入端 /反向输入端。 6.1 测试准备二极管低频噪声测试前，按照 SJT 11769 的要求，进行测试系统的他查、本底噪声的测量、测试样品的安装等测试准备工作。 6.2 噪声电压按照下列步骤，进行口声电测试 a）接入被测二极管，按本例和手c的要来起时满偏置中州，设置偏置电流与偏置电压： b）调节低噪声前置放大器的带宽和增益，使放大器的情出信号在数据采集分析设备的量程内；c）设置噪声电压时间序列的采集时间。除另有规定外，单次采集时间不少于 32 s；d）进行噪声电压测试，得到噪声电压有效值和噪声电压峰-峰值。典型噪声电压时间序列参见附录A. 6.3 噪声电压功率谱密度按照下列步骤，进行噪声电压功率谱密度测试： a）接入被测二极管，按 4 b）和 4 c）要求确定测试偏置电路，设置偏置电流或偏置电压： b）调节低噪声前置放大器的带宽和增益，使放大器的输出信号在数据采集分析设备的量程内；c）设置数据采集分析设备的采样率、频谱分辨率和测量平均次数。除另有规定外，测量平均次数不少于 16 次； d）进行噪声电压功率谱密度测试，得到噪声电压功率谱密度。典型噪声电压功率谱密度图谱参见附录 A 6.4数据的记录测试数据的记录应符合下列要求： я 测试记录包括：测试环境条件、产品型号规格、批号、编号、偏置电压、偏置电流、噪声电压和噪声电压功率谱密度等参数。按照被测二极管对应型号产品详细规范规定的要求，形成测试报告。