SJ_T 10454-2020 厚膜混合集成电路多层布线用介质浆料

SJ_T 10454-2020 厚膜混合集成电路多层布线用介质浆料 本标准按照 GB/T 1.1—2009 给出的规则起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。 本标准代替 SJ/T 10454-1993《厚膜混合集成电路多层布线用介质浆料》。本标准与 SJ/T 10454- 1993 相比，除编辑性修改外，主要变化如下： ——增加了“目次”； ——将原标准“主题内容与适用范围”合并为“范围”，并修改了相关表述； ——将原标准由“引用标准”改规范性引用文件，并增加规范性引用文件的引导语。将“GB 2421 电工电子产品基本环境试验规程ND、IfCBR3电电子产品基本环境试验规程 试验 B：高温试验方法”、试验 C：恒定湿热试验方 法”、“GB 2423.22电工电品基本环境试验规程 试验N：度变化武验方法”改为“GB/T 2423.2- 2008 电工电子产品环第2部分：试验方法 试验B：高温"G223.3-2006 电工电子产品环境试验 /部分：试验方法 试验Cab：恒定湿热试验”、“B/2322-2012环境试验 第2部分试验方法试N化""SJT 11512-200集成电路附电 浆料性能试验方法”： GR23.3由于电子产品基术环護调分规模 增加G“术吉和定义 ——将原唯表 1浆目特性来格结构进行修改，增加浆料细度及要求，修取潑料外观技术要求的表述；一将原维表 2 浆料成膜性能”表格结构进 改，调整了项目顺序，并对理目进行了增减，修改了相应的求； ——修改环境条件”的相述 ——将农桃准“样品制备”改为“烧成膜样品的调备及防护”，并修改了相关述，增加了烧成膜样品的防护及相要表述，将图工、图Z的图形移至附录B中： 删除仪器”； --增加了"测方法”，并将“浆料外观、浆料细度、浆料粘度、成膜外观、烧结膜厚度、通孔分辨率、介电常数、介电损耗、绝缘电阻、击穿电压、温度循环、坦定湿热、者化试验”列入测试方法中，并修改了相关妻述，除了“翘曲”、“高温贮存”及相关表述在检验规则中，用了鉴定位验 “乐品 敦得检验 相关表述，删除了“检验批”、 “逐批检验”及相关表述，了期检验的相关同 ——增加了“附录 A、附录 B 及相关表述： 一删除了“附加说明”。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）提出并归口。 范围 本标准规定了厚膜混合集成电路多层布线用介质浆料（以下简称浆料）的技术要求、试验方法、检验规则、包装、贮存及运输. 本标准适用于与金、钯银导体浆料相匹配的厚膜混合集成电路多层布线用介质浆料。 م 规范性引用文件 TRY AND INFORM下列文件对于本文件的应用是必不可少的，凡是注日期的引用文件价生日期的版本适用于本文件。 凡是不注日期的引用有其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文GB/T 24232208/电工电子产品环境试验 第2部分：试验方法 试温GB/T 243.2006 电环境试验 第2部分：试验方法验Cab：恒定湿热试验GB/T 223.020121环境试验第2部分试验方法 试验N：温度变化SJT 1152015集成电路用电子浆料在能试验方法3 术语和定义 下列才语和定义适用于准。 3.1介质浆料 cloctric paste浆料。 4技术要求 4.1浆料特性 STANDARDS浆料特性应符合表 1 的规定 一种由玻璃粉有机载体和添加物组成的能够满足丝网印刷或涂敷的音状将 4，4恒定湿热性能 按5.3.12进行恒定湿热试验后，绝缘电阻 R.应不低于10°2. 4.5耐高温性能 按5.3.13进行高湿试验后，绝缘电阻R.应不低于10Ω. 5试验方法 5.1 环境条件 除另有规定外，所有试验均应在下列环境中进行： a）温度：15°℃~35°℃： b）湿度：45%RH~75%RH c）大气压：86 KPa~106 KPa. 5.2 烧成膜样品的制备及防护 5.2.1 烧成膜样品的制备 考核介质浆料工作特性及介质性能的试验样品应按附录A规定的要求的厚膜多层布线工艺制备，测试图形见附录B.每个按照附录A要求制备的，符合附录 B 图形要求的试验样品记为1个。 5.2.2 烧成膜样品的防护 试验样品应置于塑料密封袋中或干燥器中储存，以防止制备好的试验样品在空气中发生凝露、氧化或表面污染等。 5.3 测试方法 5.3.1 浆料外观 采用目视对浆料外观进行检查，检查是否符合表 1 的规定。 5.3.2 浆料细度 按照 SJ/T 11512—2015 中方法 101 对样品进行测试，检查是否符合表 1 的规定。 5.3.3 浆料粘度 按照 SJ/T 11512-2015中方法102对样品进行测试，检查是否符合表 1 的规定。 5.3.4 烧成膜外观 烧成膜外观用目视进行检测，检查是否符合表 2 的规定。 5.3.5 烧结膜厚度 按照 SJ/T 11512—2015 中方法 104 对样品进行测试，测量误差±5% 5.3.6 通孔分辨率 按附录 A 要求制备样品（单层掩膜通孔 250 μm×250 μm），在 10 倍以上的显微镜下，观测通孔有无明显衬底材料露出。试验图形见图 B.2. 5.3.7 介电常数（ε）电容C的测试按照SJ/T 11512-2015中方法402对样品进行测试；用保证电压不大于 5V 和测量误差不大于2%的任何方法及仪器进行。测量频率为 1±0.2 MHz。 测量结果按公式（1）计算（测试图形见图 B.1）： Cd ع （1） 318.24式中： C——试样的电容量，pF d——试样的烧结膜厚度（厚度能够达到 40~50 μm），µm. 5.3.8 介电损耗 按照 SJ/T 11512-2015 中方法 401 对样品进行测试，检查是否符合表 2 的规定测量频率为（1±0.2）MHz，测试图形见图B.1. 5.3.9 绝缘电阻 按照 SJT 11512—2015 中方法 404 对样品进行测试，检查是否符合表 2 的规定。 测量电压为DC（100+15）V：测试图形见图B.1，要求测试图形膜厚为（40-45）μm.