SJ 50033_190-2018 半导体分立器件 3CK3635 3CK3635UB型硅PNP高频

SJ 50033_190-2018 半导体分立器件 3CK3635、3CK3635UB型硅PNP高频大功率开关晶体管详细规范 范围 本规范规定了3CK3635、3CK3635UB型硅PNP高频大功率开关品体管（以下简称器件）的详细要求。 本规范适用于器件的研制、生产和使用。 2规范性引用文件 EY AND INFORMA下列文件中的条款通过本规范的引用而成为本规范的条款。凡是引用文件，其随后所有的修改单（不包含勘误的内容）或修订版均不适用于本规范，然而，鼓励根据，规范达成协议的各方研究是否可使用这些交件的最薪版本，凡是不注日期的引用文件，就最新版本通借牙木规范。 GB/T 4587-1994半导体分立器件和集成电路第7部分：双羹品体管 半导体分享器件外形尺寸 GB/T 7581-1987 GB 1230-1990功率晶体管客全工作区测试方法 GJB 33A-6997半导体分立器件总规范 GJB 128A1997半导体分立器件试验方法 GJB 548微电子器件试验方法和程序 要求 3.1 总则 3.2设计、结构和外形 以本规范为准。 3.2.1 引出端镀涂层 器件应符合本规在和GIB 33A-1997规定的所有要求。本规范的要求与GB 3A-1997不一致时，应引出端铁涂层应按GJB 334-1991433.8.7的规定 3.2.2 器件结构器件采用硅外延平面结构。 3.2.3 外形尺寸 3CK3635外形尺寸应符合GB/T 7581-1987中的A3-02B型，见图1的规定：3CK3635UB采用UB型金属陶瓷封装，外形尺寸见图2. 4.2.2 电测试要求 电测试应符合GJB 33A-1997及本规范的规定 4.3 鉴定检验 鉴定检验应按GJg33A-1992及本规范表4至表9的规定。 4.4质量一致性检验 4.4.1 通则 质量一数性检验应按GJB 33A-1997及本规范表4至表7的规定。 4.4.2 A 组检验 A组检验应按GJB 33A-1997的表3和木规范表4的规定进行 4.4.3 B 组教验 JY级器件B维糙验应按GJB 33A-1997的表4a和本规范表5时规定进行JP按GJB 33A-1997的表46和本规范表6的规定进行。 4.4.4 C 组检验 C组检验应按GIB 33A-1999的表5和本规范表7的规定进行。 ONTR 4.4.5 D 组检验 有辐射强度保证的JC2器件应按QJB33A-1997和本規器8的规定进行D组检验。 4.5 检验和试验方法 4.5.1 脉冲测试 脉冲测试应按GJB 128A-1997的4.3.2.2的规定。 4.6 宇航级器件定级试验材料要求 鉴定检验时，宇航级器件应提交以下材料： a）器件在最高工作温度和最低工作温度的全参数测试数据. b）器件最大额定值的验证数据或证明资料。 c）器件进行稳态工作寿命摸底试验的数据。摸底试验时间：4000h或至少一半的器件出现失效，取小者。 4.7 工艺过程控制补充要求 除GJB 33A-1997中规定的工艺过程控制外，承制方应按附录B的规定对参数一致性进行监控。 本试验的目的是确认老炼和寿命试验环境下双极型品体管的稳态工作寿命试验条件能否使结温（T）是否达到了规定的数值。 A.2设备 MEAND HNFORL要求测试设备能在爱控的温箱、温槽内或热板上，在所要求的T下测量被试器件样本的温度敏感参数（TSP）A.3.1.1通结温下的TSP A.3程序 A.3.1大于加热时间（的1%。应尽量采用与试验环境条件下所使用功率的模式相同的功当成加热电流（）。 被试器情的的应与进行老炼和寿命试验的器件的结构相同，除另有规定外，全少抽取5只器件进行测量。 A.3.1.2 确定要求的温 首先确定者炼或存试验所要求的结温。对于军用器件的老炼筛选，最低结应接相应的详细规范规定。除另有规定外象成结温应为被试器件的额定最高结温。 A.3.1.3 达到规定的 应在独立的温度受控的温箱、温槽中或热板上将结温控制到规定位，分差y土2K（或按要求） A.3.1.4 记录TSP在被试器件放入并达到平衡后，应采用小的稳定测量电流（k）记录一系列的TSP。这些TSP应为晶体管的基极一发射极电压（VBE）。的大小应大至足以保证Vbe的测量，但不得大至足以产生有效的自热。 A.3.2 寿命试验时器件的安装 被试器件的样本应用插座安装在试验环境中，插座应分别处于试验环境最冷与最热的关键区域以核实T。样本中也应包括为重现相同的累积热效应而安装于功率试验环境中的所有其他器件。被试器件所使用的插座，其结构还应与试验环境中使用的所有其他插座的结构相同。被试器件应与TSP测量设备进行电气连接，该测量设备需要一组开尔文检测线用以监测结电压。这些检测线的连接应使散热效应减至最小。 A.3.3 确定寿命试验的条件 A.3.3.1 环境温度 环境温度（TA）应是热平衡条件下的规定温度，包括适用时温箱中的任何热对流或空气循环效应。 当采用热板时，还应规定其表面温度和一致性。 A.3.3.2 施加电流和功率 对所有器件施加相同的加热电流或等效的有效值功率。稍微增大加热电流，采用心对每一只被试器件同时监测一次 TSP。 注；随着刀的增大，TSP测试值（K）会减小。 A.3.3.3 规定结温下的TSP A.3.3.3.1 概述 重复A.3.3.2，直至对试验环境中的所有器件施加相同等效的电流或有效值功率后，测出的TSP与A.3.3.2中TSP的测试值相同。应记录每只被试器件达到此所要求的T值所施加的功率，并且计算所有被试器件的平均功率，并作为A.3.4.4的老炼或寿命试验中对每只器件所施加的功率数值。 A.3.3.3.2 电流和功率额定值 如果施加的加热电流或加热功率（PH）超过器件的额定值才能使老炼时器件结温达到所要求的写，则应作下列选择： a）可以增加加热电流或加热功率，但不得超过器件的电流密度容量；b）减少试验环境中的散热器；c）当相应的详细规范中允许时，可以升高7，直至达到所要求的7。 A.3.3.3.3 宇航级器件的刀 当宇航级（Jy）器件进行强加度稳态工作寿命试验时，T可高于其手册中规定的最高允许结溢（对硅器件或错器件，即高于150 ℃~200 ℃）.T值可以规定为225 ℃~275 ℃.但选择的试验条件不得使器件结温超过半导体材料的本征半导体温度。该温度可依据本征区或二次击穿区（热产生的电子空穴对涌出接近或超过了Pw结的本底掺杂水平）进行确定。该温度也可通过反向漏电流的明显增大来确定，或更严重的情况如整流管的反向击穿电压（VBR）来观测到。 A.3.3.4 T.达到规定值后 器件应按A.3.3.3.1确定的平均功率进行老炼或寿命试验。