SJ 50033_189-2018 半导体分立器件 3CK3634 3CK3634UB型硅PNP高频

1范国 本规范规定了3CK3634、3CK3634UB型硅PNP高烦大功率开关品体管（以下简称器件》的详细要求. 本规范适用于器件的研制，生产和使用， 2规范性引用文件AND IORM下列文件中的条款通过本规范的引用而成为本规范的条款.凡是引用文件，其随后所有的您改单（不包含粉损的内容）或修订版均不话用于本规范，然而。破君芭达成协议的各方研究 是否可可使用这些文件的最新板本。凡是不注日期的引用文件，其量意版规范。 GBT458手1羽1羊导依分文器件和集减电路第7部分：双罐品体GBT751-987半导体分立器件外形尺 GB1230990功率品体管安全工作区测试方法 GB33承-997半导体分立馨件总规范《 GB12名41997半导体分立器件试验方法 GB5事微电子器件试验方法和程序 3要求 CHNOLOG 3.1总则 器件应符合本规花利GB33AJ97规定的所有要求。本规范的要写G派人1997不一致时.应 以本规范为准， 3.2设计、结构和外形尺寸 3.2.1引出端被涂层 引出端馈涂层应按GB33A197中.8.1的规定分 53.2.2器件结构 晷件采用硅外延平面结构。 3.2.3外形尺寸 3CK3634外形尺寸应符合GBT75811987中的A302B型，见图1的规定：3CK3634UB采用UB型金属陶瓷封装，外形尺寸见图2。 3.4电制试要求 电试应符合GB/T4587-1994及本规范的规定。 3.5标志 标志应符合GB33A-1的7和以下要求： a）批识别代码： b）生产厂标识 c）器件型号：3CK3634/3CK3634UB：d）器件序列号： e）器件质量等级标识：JP、T，JCT或JY级， 4质量保证规定 4.1抽样和检验 抽样和检验应按GB33A-1997和本规范的规定， 4.2蹄选（仅对JT、JCT和Y级） 4.2.1通则 应按GB33A-1997表2和本规范表3的赶定100%进行，其测试应按木规范表4的规定进行，超过本规范表4极限值的器作应予刚除。 4.2.2电测试要求 电测试应符合GJB33A-197及本规葡的规定， 4.3烧定检验 签定检验应按GB33A-1997及本规益表4至表9的规定. 4.4质量一致性检验 4.4.1通则 质量一致性检验应按GB33A-1997及本规范表4至表7的规定。 4.4.2A组检验 A组检验应按GB33A-1997的表3和本规范表4的规定进行。 4.4.3B组检验 Y级器件B组检验应按GJB33A-997份表4和本规范表5的规定进行P、T，CT级器件B组检验应 4.4.4C组检验 C组检验应按GB33A-1997的表5和本热葛表7的规定进行， 4.4.5D组检验 粒验， 4.5检验和试验方法 451球冲试 y 1像冲测应按6JB128A997的4.32.2的规定。 4.8宇航织稻许定最试验材料要求 室定检会，字航级器件应提交以下材料： 〉卷针在量尚工作温度和最低工作温度的全参效别试数接，TECHN b）器并腋大领定值的验证数据或证明资料，c〉器时还行稳浓工作寿命淡底试险的数据。摸底狱验时匈00h或至器件出现失效，取东》 4.7工艺过程控制补左要果 除GB33浅197中规定的工艺过程控制外，承制方应按附录B的规定有数及性进行直控。 A.1目的 本试验的目的是确认老炼和寿命试验环境下双极型品体管的稳态工作寿命试验条件能否使结温 （T）是否达到丁规定的数值. A2设备 要求测试设备能在的箱、温情内该热板上，在所装求的T下测量被试器件样本的温度依感参数（TSP）。 A3程序 A31确认件在观耄结温下的TSP A31.1强 采用一定的外利量电流。该电蓝用于SP满量，面不会产生有效的自热等T的占空比应不 大于加热时傅（%.应尽量采用与试验环境条件下所使用功米的模式相同的功如热电流（）. 被试器件的约整与进行老炼和寿合试验的塔件的纯构相。除另有锲定集抄抽取5只器作 进行测。 A.3.1.2确过球的结温 首先确定青蝶素衡试验所要求的结温。对于军用器件的老陈行法，最续纱流应转相应的详细规范规定。除另有定装篇结温应为被试器件的额定最高结祖· 9，A3.1.3达到规定的费 应在独立的湿透受拉的温箱、温槽中成热板上将结温控制到规定华在差升2K（或按要求）。 A.3.1.4记录T0在被试器件放入并达然平衡后：应采小的稳定测量电莲（了记泰一系列的TSP，这些TSP应为品体管的基楼一发射极电压（）：人的大小应天至是以保证的测量，但不得大至足以产生有效的白热，A，32寿命试验时器件的安装 被试器件的样本应用插座安装在试验环境中，插座应分别处于试验环境最冷与最热的关键区域以核实T，样本中也应包括为重现相同的累积热效应而安装于功率试验环境中的所有其她器作。被试器件所使用的捐座，其结构还应与试验环境中使用的所有其他插座的结构相问。被试晷件应与T5P测量设备进行电气连接，该测量设备福要一组开尔文检测线用以胜测结电压，这些检测线的连接应使放热效应减至最小，A，33确定寿金试验的条件 A.3.3.1环境温度 环境温度（T）应是热平衡条件下的规定温度，包括语用时温箱中的任何热对流或空气椭环效应，当采用热板时，还应规定其表面温度和一政性。 A.3.3.2施加电流和功率 对所有器件菲加相同的加典电筑或等效的有效值功率。稍微增大加热电流，采用4对每一只被试圈件问时监测一次TsP注：随看的考大，T测试值《）会减小. A.3.3.3规定结温下的T5P A.3.3.3.1摄述 重复A332，直至对试验环境中的所有器件能加相同等效的电流或有效值功率后，测出的TSP与A332中T$P的测试值相同。应记录每只坡试器件达到此所要求的T值所施加的功率，并且计算所有被试器件的平均功率，并作为A3.4.4的老炼或寿命试验中对每只器件所施如的功率爱值。 A.3，3.3.2电流和功率额定值 如果施加的加热电流或口热功率（P:）超过晷件的领定值才能使老炼时器件结温达到所要求的则应作下列选择： ）可以增加加热电流或加热功率，但不得超过器件的电流密度客量： ）减少试验环境中的散热恶： ©）当相应的详纸规范中允许时，可以升高T直至达到所要求的T A.3.3.3.3宁航级器件的厅 当字航级（人》器件进行强加度稳态工作寿命试验时，可高于其手册中规定的最高允许结湿（对硅器件减鳍器件，即高于150℃一200℃），T值可以规定为225℃一275℃.但选并的试验条件不得使器件结温超过半导体材料的本征半导体温度。该温度可依据本征区或二次击穿区（热产生的电子空穴对涌出接近减超过了结的本底携杂水平）透行确定。该温度也可通过反向漏电流的明显增大来确定，或更严重的情况知整流管的反向击穿电压（位）来观渊到： A.3，3.4T达到规定值后 器件应按A33.3.1确定的平均功宰进行老栋威寿命试验。