SJ 50033_180-2018 半导体分立器件 3CK2906 3CK2906UA 3CK290

SJ 50033_180-2018 半导体分立器件 3CK2906、3CK2906UA、3CK2906UB型硅PNP高频小功率开关晶体管详细规范 范围 本规范规定了3CK2906、3CK2906UA、3CK2906UB型硅PNP高频小功率开关晶体管（以下简称器件）的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和使用。 2规范性引用文件 TRY AND INFORMAT下列文件中的条款通过本规范的引用而成为本规范的条款。凡是期的引用文件，其随后所有的修改单（不包含勘误的内容）或修订版均不适用于本规范，然而，鼓励根据本规范达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本一比是不能日期的引用文件，其最新版本适用矛不规范。 GB/T 4587-194半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型品体管 GB/T 7581-1987半导体分克器件外形尺寸 GB 12300-1990功率晶体管安全工作区测试方法 GJB 33A-1997半导体分立器件总规范 GJB 128A-1997半导体分立器件试验方法 要求 3.1 总则 以本规范为准。 要定的所有要求。本规范的要求与GJB 37A-1997不一致时，应 3.2 设计、结构和外形尺 3.2.1 引出端镀涂层 3.2.2 器件结构 引出端镀涂层应按GJB334-199043816ARDS器件采用硅外延平面结构。 3.2.3 外形尺寸 3CK2906外形尺寸应符合GB/T 7581-1987中的A3-01B型，见图1的规定；3CK2906UA采用UA型金属陶瓷封装，外形尺寸见图2：3CK2906UB采用UB型金属陶瓷封装，外形尺寸见图3。 本试验的目的是确认老炼和寿命试验环境下双极型晶体管的稳态工作寿命试验条件能否使结温（T））是否达到了规定的数值. A.2设备 数（TSP） A.3 程序 A.3.1 确认器件在规定结温下的TSP A.3.1.1 通则 要求测试设备能在ANDTNFORMATIONT采用一选定的小利量电流，该电流用于TSP测量，而不会产生有效的自热。TST取样的占空比应不大于加热时间（的1%.应尽量采用与试验环境条件 新使用功率的模式相同的功率或加热电流（）。 进行测量。 A.3.1.2 确定要求的结温 规定。除另有规定外，最高结温应为被试器件的额定最高结温，被试器件的物质与进行体和寿命话器结相、味有桃定有主抽取只器件A.3.1.3 达到规定的结验 应在独立的温度受控的温箱，温槽中或热板上将结温控制到规定值，允差为土2K（或按要求）。 A.3.1.4 记录TSP在被试器件放入并达到妈平衡后，应采用小的稳定测量电流（系）记录一系列的TSP。这些TSP应为晶体管的基极一发射极电压（E），的大小大至足以保证 的测量，但不得大至足以产生有效的自热。 A.3.2 寿命试验时器件的安装 被试器件的样本应用插座安装在试验环境中，插座应分别处于试验环境最冷与最热的关键区域以核实写。样本中也应包括为重现相同的累积热效应而安装于功率试验环境中的所有其他器件。被试器件所使用的插座，其结构还应与试验环境中使用的所有其他插座的结构相同，被试器件应与TSP测量设备进行电气连接，该测量设备需要一组开尔文检测线用以监测结电压，这些检测线的连接应使散热效应减至最小。 A.3.3 确定寿命试验的条件 A.3.3.1 环境温度 环境温度（TA）应是热平衡条件下的规定温度，包括适用时温箱中的任何热对流或空气循环效应。 当采用热板时，还应规定其表面温度和一致性。 A.3.3.2 施加电流和功率 对所有器件施加相同的加热电流或等效的有效值功率。稍微增大加热电流，采用A对每一只被试器件同时监测一次TSP注：随着刀的增大，TSP测试值（场）会减小。 A.3.3.3 规定结温下的TSP A.3.3.3.1 概述 重复A.3.3.2，直至对试验环境中的所有器件施加相同等效的电流或有效值功率后，测出的TSP与A.3.3.2中TSP的测试值相同。应记录每只被试器件达到此所要求的T值所施加的功率，并且计算所有被试器件的平均功率，并作为A.3.4.4的老炼或寿命试验中对每只器件所施加的功率数值。 A.3.3.3.2 电流和功率额定值 如果施加的加热电流或加热功率（PH）超过器件的额定值才能使老炼时器件结温达到所要求的T，则应作下列选择：a）可以增加加热电流或加热功率，但不得超过器件的电流密度容量；b）减少试验环境中的散热器；c）当相应的详细规范中允许时，可以升高TA直至达到所要求的T。 A.3.3.3.3 宇航级器件的万 当宇航级（Jy）器件进行强加度稳态工作寿命试验时，T可高于其手册中规定的最高允许结温（对硅器件或锗器件，即高于150 ℃～200 ℃）。T值可以规定为225 ℃～275 ℃。但选择的试验条件不得使器件结温超过半导体材料的本征半导体温度，该温度可依据本征区或二次击穿区（热产生的电子空穴对涌出接近或超过了P 结的本底掺杂水平）进行确定。该温度也可通过反向漏电流的明显增大来确定，或更严重的情况如整流管的反向击穿电压（VBR）来观测到。 A.3.3.4 7达到规定值后 器件应按A.3.3.3.1确定的平均功率进行老炼或寿命试验。