SJ 21529-2018 多层共烧陶瓷 表层溅射工艺技术要求

范围 本标准规定了多层共烧陶瓷表面溅射工艺的人员、环境、安全、材料、设备和仪器等一般要求，以及多层共烧陶瓷表面溅射工艺的典型工艺流程、工序技术要求、检验要求等详细要求。 本标准适用于多层共烧陶瓷表层溅射工艺 ه 规范性引用文件 修改单（不包含理不难的要因不成为不本标准，然而，鼓励是标在达成协议的各方研究是否可使用这些文化的是新版本，凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。 GB/T 897-2008纯氮漏纯氮和超纯氢 GB/T 16452009电子工业用气体 氢 GB/T 2361009金鞋材 GB/T25915.1-2010 洁净空及相关受控环境 第1部分：空气洁净度等级GJB 17A96计数抽秤检验程序及表GJB 548B05 YS/T 819-202微电子医件试验方法和序 电子薄膜用高손钢滅射學材 YS/T 89-22电子薄膜用高统钛滅射靶材 YS/T 102203 YS/T 1129-2016射用钽靶材 马合金靶 3术语和定义 下列术语和定义适用于本标 3.1注：单位为帕（Pa） 极限真空度 ultimate vacuum pressure真空系统正常工作时，空载干燥的真空室达到稳定的最低真空度。 3.2靶材 target materials用于沉积源的材料，以组成溅射装置的电极。 ANDARDS A9T 33方阻 sheet resistance长度和宽度相同的方块区域膜材料的电阻值 注：单位为欧姆每方（Ω/sq） 一般要求 4.1人员 人员要求如下： a） 操作人员应掌握微电子封装工艺相关的基础知识，熟练掌握工艺设备和仪器的操作方法，并经过专业岗位技术培训，经考核合格后，持岗位资格证上岗；b）操作人员应了解厂房的管理制度，并自觉遵守人员着装和污染防控的各项规定；c）操作人员应掌握环境保护和职业健康安全相关的基础知识，能应急解决工艺过程中可能出现的问题： d）操作人员应严格按照工艺要求进行操作，并按规定的格式填写工艺记录. 4.2 环境 4.2.1 温度 温度：20℃~26 ℃. 4.2.2 相对湿度 相对湿度：30%~70% 4.2.3 洁净度 多层共烧陶瓷表层溅射工艺间洁净度应符合GB/T 25915.1-2010中ISO 7级规定。 4.2.4 工作场所 工作场所要求如下： a）工作场所应整洁有序，有良好的照明条件： b）工作台面应保持干净，物料摆放有序、整齐，不应有造成污染的游离材料。 4.3 设备、仪器和工装 4.3.1 设备和仪器 设备应定期进行鉴定与保养，仪器应定期进行计量校准，设备和仪器均应在有效期内使用，与工艺要求相适应，常用设备和仪器见表1. a）多层共烧陶瓷基板翘曲度不大于0.05 mm/25 mm；b）多层共烧陶瓷基板表面粗糙度Ra不大于0.08 µm；c）多层共烧陶瓷基板表面外观应光洁平整，无裂纹、划痕等缺陷，无碎屑等异物污染d）多层共烧陶瓷基板应标注批次号。 多层共烧陶瓷表层溅射工艺所需的其他主料及要求见表2。 5.2.2 设备和仪器 设备和仪器的技术要求符合4.3.1、4.3.2以及工艺文件的具体要求，按照设备操作规程进行设备检查及开机，确保水、电、气供应正常。 5.2.3 工装 确认适用于多层共烧陶瓷基板表层溅射工艺的相关工装齐全。 5.2.4 材料 材料要求如下： a）按照技术文件要求核对多层共烧陶瓷基板的规格、数量、批次；b）基板表面外观、翘曲度、粗糙度应满足4.4.1中的要求；c）确认工艺要求对应的靶材及工艺气体种类及型号。 5.3 基板前处理 基板前处理要求如下： a）基板前处理主要包含除油、微蚀等步骤，除油通过丙酮擦拭方式进行，微蚀通过在常湿下浸泡铬酸进行，浸泡时间10s~20 s，微蚀后用去离子水冲洗基板；b）清洗后基板表面亲水性好，能附着均匀一致且连续的水膜： c）清洗后基板表面在光学显微镜下无有机杂质、颗粒d）多层共烧陶瓷基板表面孔隙率大，宜采用烘箱90 ℃～120 ℃进行进一步烘干，去除残留水汽： 基板完成前处理后，放入清洁的专用周转盒内转移，基板前处理完毕到基板装载镀膜之间的间隔时间不能超过5 h，否则须重新清洗。 e） 基板裝载 5.4基板装载要求如下： 基板装载时，应戴上无尘乳胶手套和口罩进行操作，避免接触基板表面待溅射部位。 检查工装同基板的匹配性，将基板装载到设备的基板承载工装中，应检查基板夹持的可零性，防止溅射过程中基板脱落。 a）b）c） 由于溅射时工装也随着溅射多层膜层，工装应定期采用喷砂或腐蚀的方法进行金属层的去除。