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SJ1991-1981 N沟道结型场效应半导体对管 CS21型低频低噪声场效应半导体对管

更新时间：2024-06-20 21:43:55 大小：147K 上传用户：xuzhen1查看TA发布的资源 标签：场效应半导体 下载积分：2分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

1.本标准适用于（单片）CS 21型N 沟道结型场效应半导体对管（以下简称产品）。该产品主要用于电子设备放大电路中。

2.该产品除应符合本标准规定外，还应符合SJ 614-73《半导体三极管总技术条件》的规定。

3.产品的外形结构尺寸应符合规定的外形图（见附录A）。

4.电参数应符合参数规范表的规定。电参数的测试方法应符合SJ 1949~1973-81《场效应半导体管测试方法》的规定。

5.环境试验后，按顺序测量下列电参数：

（1）栅源短路时漏极电流IDSS

（2）栅源截止电压VGs（off）；

（3）正向跨导gis；

（4）栅源电压差|VGs，-VGs，1；

（5）栅极截止电流IGSS

（6）栅源击穿电压V（BR）GSS。

其中Ioss、Vas（off）、9/s、IVas，-Vas，1的相对变化不得超过±30%，IGss、V（BR）Gss不得超过规范值。

6.短期寿命试验条件：Vcs=-10V，Vos=0V，Te=Tim

7，高温贮存试验条件：金属封装的产品按Tim=175± 3℃，陶瓷环氧封装和塑料封装的产品按Tim =125± 3 ℃ 进行。

8.短期寿命和高温贮存试验后，按下列标准考核。

（1）Ioss、Ves（off）、9rs、IVas，-VGs，1的相对变化不得超过±30%。

（2）Iass、V（BR）Gss、41Vos，-VGs，1/4T（只在寿命试验中考核）的变化不得超过规范值。

9.本标准参数规范的仲裁条件

环境温度

25± 2℃

相对湿度

65±5%；

10，生产单位应在产品说明书中提供以下特性曲线：

（1）转移特性随温度变化的曲线；

（2）输出特性曲线；

（3）跨导与漏极电流特性曲线；

（4）栅源电压差与漏极电流特性曲线；

（5）温漂与漏极电流特性曲线。

11，生产单位应在产品说明书中提供工艺筛选项目和筛选条件。

12.Ipss<20mA的产品分档误差不得超过±10%，Ipss<40mA的产品分档误差不得超过±5%。


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SJ1991-1981_N沟道结型场效应半导体对管_CS21型低频低噪声场效应半导体对管.pdf 147K

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