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SJ1828-1981 3DK53型NPN硅外延平面小功率开关三极管

更新时间：2024-06-20 21:56:28 大小：163K 上传用户：xuzhen1查看TA发布的资源 标签：三极管 下载积分：2分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

本标准适用于3DK53型NPN硅外延平面小功率开关三极管，该产品在电子设备中主要作饱和及非饱和开关用。

1，该产品除按本标准规定外，二类应符合SJ 614-73《半导体三极管总技术条件》的 规定，三类应符合 SJ 281-76 的规定。

2，外形结构和尺寸应符合附图的规定.

3.技术要求和试验方法

（1）电参数应符合参数规范表的规定，电参数的测试方法应符合 SJ 300～314—72《半导体三极管测试方法》的规定。

（2）hrg 分档标志：

允许测试误差为 ±10%.

（3）环境试验后，按顺序测量下列电参数，a，b，d三项参数应符合参数规范表的规定，hrz的相对变化不得超过 ± 20%

a.反向电流；b.饱和压降；c.电流放大系数；d.反向击穿电压。

（4）高温贮存和额定功率试验条件：

a.高温贮存试验条件：按Tim为125℃下进行；b.额定功率试验条件：功率为Per值.电压Vea为8V.

（5）高温贮存和额定功率试验后，按下列标准考核：

a.Icso不得大于规范值的两倍；b.hrz的相对变化不得超过±25%；c.VBE（s.s）的相对变化不得超过+20%；d.Vca（s.e）的相对变化不得超过+0.1V；e.V（BncEo的相对变化不得超过一20%.

（6）引出线抗拉强度试验和弯曲试验应符合 SJ 1328—78《电子元器件引出端强度试验方法》的规定。

4.说明

（1）本标准参数表中的电参数均以25℃为准。

（2）生产单位应在产品目录中提供下列典型特性曲线：

a.Is-VaE的关系曲线

b.Ic-VcE的关系曲线；c.V（BRCEO，V（BR）EBO--T.的关系曲线；d.hre-—T。的关系曲线；e.hrs-Ic的关系曲线；f.fr-Ic的关系曲线；g.Icro.Icno-T.的关系曲线h.t，——Ini 的关系曲线；i.t，——Iai 的关系曲线；j.t，——Ic 的关系曲线；k.t，——Ic 的关系曲线；1.to.——In 的关系曲线

m.tos-Ic的关系曲线.

（3）光刻版图尺寸 单位：um梳形引出电极

基区面积：160×90发射区尺寸：60×30 两条


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