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SiC功率器件：新能源汽车的下一场技术竞赛.docx
资料介绍
SiC功率器件：新能源汽车的下一场技术竞赛
一、引言
碳化硅功率器件正在成为新能源汽车产业的技术焦点，从特斯拉率先在Model 3中采用SiC MOSFET以来，全球主流车企纷纷在800V高压平台上部署SiC功率器件。SiC功率器件在效率、功率密度和高温性能方面远超传统硅基IGBT，正在推动新能源汽车电驱动系统的技术升级。
二、SiC的材料优势
2.1 禁带宽度
SiC的禁带宽度约3.26eV，是硅的3倍，可以在更高温度下工作。
2.2 击穿场强
SiC的击穿场强约为硅的10倍，可以在更高电压下工作，同时保持较小的器件尺寸。
2.3 热导率
SiC的热导率约为硅的3倍，散热性能更好，可以工作在更高的功率密度下。
三、SiC MOSFET的技术优势
3.1 效率提升
SiC MOSFET的开关损耗约为硅IGBT的1/3~1/5，在电机控制器中系统效率提升约2%~5%。
3.2 高频工作
SiC MOSFET可以在更高频率下工作，减小电机控制器的体积和重量。
3.3 高温性能
SiC MOSFET可以在200℃以上的结温下工作，简化散热系统设计。
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