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非常规X射线能量探测技术
资料介绍
x射线探测器最初是一种无能量分辨能力的盖革计数器，现在己发展了多种类型、不同用途，并具有极高分辨率的各种X射线探测器。特别是最近几年，随着半导体技术、太空探测和超导材料研究的进步，x射线能量探测器技术取得了显著的进展。半导体探测器于1949年首次以错单晶制成，Si
（Li）探测器于1962年问世，1967年出现了离子植入型Si二极管、二维探测器和高纯Ge探测器。20世纪60-70年代的主要进步表现在材料处理技术和电子脉冲处理器的发展上。大约20年即1987年后，各种Si基探测器和集成电路得到广泛的研究和迅速发展，制造技术日益成熟。
最初开发的单晶硅探测器采用表面势垒，即使一个小的指印都会损坏Au涂层，致使探测器不稳定。
超纯si的势垒具有约100 kVcm（势垒）的近乎本征电阻特性，故应用前景广泛。但由于B在Si中的偏析，天然B对Si的污染很难去除。故需要反复的晶层净化工艺才能实现单晶硅的本征电阻特性。应用1i漂移技术可以克服需要反复进行晶层净化的复杂工艺过程，制成具有近乎本征硅特性并具有一定厚度的Si（Li）探测器，其显著特点是它可以补偿任何局部受体密度，这一技术使得Si（Li）探测器迅速成为能量探测器领域的主要探测工具之一。但需要低温抑制Li漂移引起的噪声，以避免分辨率下降。
在此期间还出现了采用在前后触点分别植入B和P离子的p-n结探测器，并成功地应用于获取物体的二维图像。至20世纪80年代末，一种si0，氧化物钝化工艺应用于制造Si半导体探测器，用以保护表面敏感区。场效应管（FET）的引入也是该时期的一个重要技术进展。
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| 探测器SDDCCD探测器的发展.pdf | 867K |
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