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衬底触发scr-ldmos堆叠结构的高压esd特性分析

更新时间：2020-11-09 19:13:01 大小：5M 上传用户：xuzhen1查看TA发布的资源 标签：堆叠esd 下载积分：1分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

本文首先介绍了ESD的基本工作原理和几种常见的ESD器件，讨论了CMOS闩锁效应、影响CMOS闩锁效应的参数以及闩锁效应与ESD的关系和区分，分析了高压ESD的闩锁效应问题，指出了提高维持电压是解决闩锁效应的有效的方法，并给出了几种提高维持电压的方法和案
其次，提出了一种新型的用于高压ESD防护的自触发 STSCR-LDMOS
（Substrate Trigger Semiconductor Control Rectifier-Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor，衬底触发硅控晶闸管横向双扩散金属半导体场效应管）堆叠结构，解释了其工作机理，并采用多脉冲（TLP Transmission Line pulse，传输线）仿真方法进行仿真和分析。分析结果表明自触发 STSCR-LDMOS堆叠结构的维持电压随
着堆叠个数的增加而成倍的增加，面触发电压主要取决于 STSCR-LDMOS1的触发
电压，以触发电阻为1002时为例，当堆叠个数从1增加到4，维持电压从69V增加到254V，而触发电压只从716V增加到了79.7V。同时分析了 STSCR-LDMOS的阴极N+与P+之间的距离L、Pmg端P与阴极N+之问的距离L以及触发电阻对堆叠结构的维持电压和触发电压的影响，给出了距离L.、LD和触发电阻的最佳
值
最后，提出了 LDMOS触发 STSCR-LDMOS堆叠结构，这是自触发 STSCR LDMOS堆叠结构的一种优化结构，仿真分析表明，LDMOS触发 STSCRLDMOS堆叠结构具有更小的触发电压，且其受触发电阻的影响更小，因此可以堆叠更多
的 STSCR-LDMOS单元，以获得更高的维持电压。以触发电阻为500时为例，当
堆叠个数从1增加到6时，维持电压从74V增加到405V，而触发电压从70.V只增加到了753V。
关键词：高压ESD，闩锁效应，STSCR-LDMOS，维持电压，触发电压

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