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功率放大器 RF5110G datasheet 制造说明
资料介绍
The RF5110G is a high-power, high-gain, high-efficiency power amplifier. The device is manufactured with an advanced GaAs HBT process. It is designed for use as the final RF amplifier in GSM hand-held equipment in 900 MHz band, and General-Purpose radio application in standard sub-bands from 150 MHz to 960 MHz. An analog on-board power controller provides over 70 dB range of adjustment. Which allows for power down with an voltage equals to the logic “Low” to set the device in standby mode. The RF5110G RF Input is internally matched to 50 Ω. On its RF Output, it can be easily matched externally to obtain optimum power and efficiency for certain applications.
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| rf5110g_manufacturing_note.pdf | 282K |
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