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存储芯片的RDL再分布层与扇出型封装技术.docx
资料介绍
存储芯片的RDL再分布层与扇出型封装技术
1 引言
RDL（再分布层）是先进封装中实现芯片I/O引脚的重新分布和扇出的关键技术。在存储芯片的扇出型封装中，RDL将芯片周边密集的I/O引脚扇出至封装边缘，实现高密度互连。FOWLP（扇出晶圆级封装）和FOPLP（扇出面板级封装）是扇出型封装的两种主流方案。本章系统分析RDL技术原理、扇出型封装工艺和在存储芯片中的应用。
2 RDL技术原理
2.1 功能
RDL在芯片的原始焊盘上重新分布I/O引脚，将密集的引脚扇出至更大间距，便于PCB布线。RDL的线宽/线距从5μm/5μm（传统）到2μm/2μm（先进），可支持高密度互连。
2.2 材料
RDL使用铜作为导电材料，聚酰亚胺（PI）或苯并环丁烯（BCB）作为介电材料。RDL的制造工艺包括电镀铜和光刻图形化。
3 扇出型封装
3.1 FOWLP
FOWLP在晶圆级完成扇出封装，将芯片嵌入模塑化合物中，在芯片表面制作RDL，将I/O扇出至芯片边缘外。FOWLP的封装尺寸与芯片尺寸解耦，可在相同封装尺寸中容纳更大芯片。
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