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熔丝型PROM
资料介绍
基本定义
熔丝型PROM（熔丝型可编程只读存储器，Fuse-type Programmable Read-Only Memory）是一次性可编程只读存储器（OTP PROM）的典型类型，属于半导体非易失性存储器件，出厂时所有存储单元默认保持全1（或全0）状态，用户可通过专用编程设备熔断对应位置的熔丝，实现一次性写入数据，写入后数据无法修改，只能永久读取。
工作原理
熔丝型PROM的每个存储单元都串联一根由多晶硅或者镍铬等材料制成的微小熔丝，未编程时熔丝保持导通状态，对应存储单元输出固定逻辑电平（通常为高电平“1”）。当需要对某一单元写入“0”时，通过编程设备向该单元施加高于正常工作电压的编程大电流，大电流流经熔丝产生热量，使熔丝熔断，该单元变为断路状态，输出对应低电平“0”。
由于熔丝熔断属于不可逆的物理变化，熔丝一旦熔断就无法恢复，因此熔丝型PROM只能进行一次编程操作，编程完成后数据将永久保存在芯片中，断电后数据不会丢失。
结构组成
典型熔丝型PROM存储阵列采用二极管+熔丝的交叉译码结构：
1. 地址译码器：接收输入地址信号，选中对应存储单元；
2. 存储矩阵：由行线、列线交叉构成，每个交叉点通过二极管串联熔丝连接行线与列线，形成一个存储位；
3. 读出电路：放大选中单元的输出信号，转换为标准逻辑电平输出；
4. 输入输出控制电路：控制地址输入、数据输出，协调芯片与外部系统的通信。
早期容量较小的熔丝型PROM多采用双极型工艺制造，后期也出现了基于CMOS工艺的产品，集成度和功耗性能得到明显优化。
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| 文件名 | 大小 |
| 熔丝型PROM.docx | 15K |
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