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面向存储芯片的先进光刻工艺中OPC与ILT技术从规则驱动到模型驱动.docx
资料介绍
面向存储芯片的先进光刻工艺中OPC与ILT技术从规则驱动到模型驱动
——从光学邻近效应校正到反演光刻的光刻分辨率增强技术
引言
在存储芯片的先进工艺节点中，光刻分辨率已接近物理极限。DRAM的1c nm节点要求半间距小于10nm，而3D NAND的垂直通道孔孔径要求小于80nm且深宽比超过100:1。光学邻近效应（OPE）导致光刻图形严重畸变，需要采用分辨率增强技术（RET）进行校正。光学邻近效应校正（OPC）和反演光刻技术（ILT）是当前最主流的RET技术，其从规则驱动到模型驱动的演进路径，深刻影响了存储芯片的制造精度和良率。本文系统分析面向存储芯片的OPC和ILT技术原理、算法演进和实现方法。
光刻中的光学邻近效应
光学邻近效应的物理机制
在光刻过程中，由于光的衍射和干涉效应，掩模版上的图形经过光学系统投影到晶圆上时，会产生以下畸变：
1. 线端缩短：孤立线条的末端在晶圆上比掩模版上的设计长度短，导致线端缩短。
2. 线宽变化：不同密度的图形区域，线宽在晶圆上不一致，密集区域线宽偏大，孤立区域线宽偏小。
3. 圆角效应：掩模版上的直角在晶圆上变为圆角，导致图形失真。
4. 桥接风险：相邻图形之间的距离过小时，在晶圆上可能发生桥接，导致短路。
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