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NAND Flash存储单元技术解析
资料介绍
一、存储单元基本结构
NAND Flash存储单元采用浮栅场效应晶体管（Floating Gate FET）结构，主要由控制栅（Control Gate）、浮栅（Floating Gate）、氧化层（Tunnel Oxide）和衬底（Substrate）构成。浮栅被氧化层包裹，可通过Fowler-Nordheim隧道效应实现电荷的注入与擦除，从而存储二进制数据。
二、工作原理
1. 编程操作（写入数据）
通过在控制栅施加高电压（通常10-20V），使电子穿过隧道氧化层注入浮栅。浮栅存储电荷后，晶体管阈值电压升高，表现为"0"状态；未存储电荷时阈值电压较低，表现为"1"状态。
2. 擦除操作
在衬底施加高电压，控制栅接地，使浮栅中的电子通过隧道效应返回衬底。擦除操作以块（Block）为单位进行，典型块大小为128KB-2MB。
3. 读取操作
在控制栅施加中等电压（3-5V），通过检测漏极电流判断存储状态。当浮栅有电荷时，晶体管截止（状态"0"）；无电荷时导通（状态"1"）。
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