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NAND型FeRAM基本结构解析

更新时间：2026-07-21 08:41:18 大小：19K 上传用户：潇潇江南查看TA发布的资源 标签：nand 下载积分：2分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

一、NAND型FeRAM核心定位与结构设计目标

铁电随机存取存储器（FeRAM）是基于铁电材料极化翻转特性实现数据存储的非易失性存储器，按照阵列架构可以分为NOR型与NAND型两类。其中NAND型FeRAM延续了NAND闪存的串型阵列结构设计思路，核心目标是实现更高存储密度、更低单位存储成本，满足大容量数据存储场景的需求，弥补NOR型FeRAM存储密度偏低的短板。与传统NAND闪存相比，NAND型FeRAM保留了FeRAM低功耗、高速读写、高擦写耐久性的优势，同时通过串型选通结构降低了存储单元的占板面积，是当前非易失性大容量存储器的重要研究方向。

二、NAND型FeRAM整体阵列结构

NAND型FeRAM的整体架构为串型存储阵列，核心由存储块、存储页、存储串三个层级构成，整体结构与传统NAND闪存高度相似，但将存储单元替换为集成铁电电容的FeRAM单元。

1. 层级化阵列布局

整体阵列由多个存储块（Block）构成，每个存储块是擦除操作的基本单位；每个存储块内划分多个存储页（Page），存储页是读写操作的基本单位；每个存储页内包含若干条NAND存储串，一条存储串串联多个存储单元，共享同一个选通管与漏极、源极通路。典型的NAND型FeRAM阵列中，一条存储串通常串联32个、64个甚至更多存储单元，通过减少每个单元对应的外围选通端口数量，降低外围电路占芯片面积的比例，从而提升整体存储密度。

2. 端口与布线结构

NAND型FeRAM的布线分为三类核心信号线：字线（WL）、位线（BL）、源极线（SL）。其中字线平行排布于存储阵列的行方向，每一条字线连接同一行不同存储串中对应位置的存储单元栅极，实现同一行单元的选通；位线平行排布于存储阵列的列方向，垂直于字线，每一条位线连接同一列存储串的漏极端，作为读写数据的输入输出通路；源极线连接所有存储串的源极端，作为公共参考电位通路。与NOR型FeRAM相比，NAND型结构中每个存储单元不需要单独连接位线，大幅减少了位线的数量，降低了布线复杂度与阵列面积，这是NAND型结构存储密度更高的核心原因。


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