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一种应用于数字高速接口电路全MOSFET结构基准源设计
资料介绍
本文提出了一种应用于数字高速接口电路且采用工作在亚阈值区的pMOS晶体管和两级运放构成的参考基准源。该电路采用0.18um标准CMOS工艺,Synopsys Hspice仿真结果表明：该电路输出参考基准电压为1.25V,在-55℃～125℃范围内温度系数小于10ppm/℃；该电路在3.3V电源电压下可以稳定工作,并且在宽泛的频率范围内,具有很好的电源噪声抑制能力。电源电压从3.0V变化到3.6V ,输出参考基准电压变化0.016%；该参考基准源具有很好的CMOS工艺兼容性和可移植性并可望应用于高精度、低功耗IC系统的设计研发。整个参考基准面积为0.024mm^2,满足了数字高速接口的应用要求。
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| 一种应用于数字高速接口电路全MOSFET结构基准源设计.pdf | 243K |
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