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基于硅基MEMS和氮化铝工艺的高集成度射频电路设计技术
资料介绍
小型化和高效散热是综合电子系统设计的两个主要需求。基于硅基MEMS工艺的射频电路具有集成度高、一致性好的特点;基于氮化铝基板工艺的射频电路具有高散热效率、易于多层布线的特点。本文将两者的优势结合起来,采用新型工艺和设计理念对集成的射频前端的三维结构中的垂直互连进行了仿真测试,实现X频段插入损耗小于0.2dB。利用氮化铝工艺实现的功分网络在8GHz~12GHz的频率范围内,S21和S31不小于-4dB,且波动不大于0.1dB。
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| 基于硅基MEMS和氮化铝工艺的高集成度射频电路设计技术.pdf | 2M |
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