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基于高压摆率误差放大器和摆率增强电路的无片外电容LDO
资料介绍
基于0.35μm CMOS工艺设计了一款无片外电容低压差线性稳压器（cap-free LDO）,通过误差放大器组成的环路控制稳态误差,通过摆率增强电路构成的环路改善瞬态响应。该LDO输出电压为1.72V,压差80mV,最大输出电流50mA。测试结果显示：负载电流（IL）在0.5μs内瞬变50mA时,俯冲电压和过冲电压均为80mV左右,重回稳态的时间均小于1.5μs。
A cap-free low-dropout regulator based on 0.35 μm CMOS process is proposed. The loop composed of error amplifier controls the static error and the loop composed of slew-rate enhancement circuit improves the system＇s transient responses. The output of LDO regulator is 1.72 V, and it can deliver 50 mA load current and 80 mV dropout. The test results show that the overshoot and undershoot is 80 mV when the load current Ii. changes 50 mA transiently within 0.5 μs, and the output can recover stable state within 1.5 μs.
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资料：bitboy
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