积分商城

最新搜索： ispLEVER ESAM sonar STM8S003 BRIGHTEK 电解电容封装库
您现在的位置是：首页 > 技术资料 > 基于高压摆率误差放大器和摆率增强电路的无片外电容LDO
推荐星级：
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5

基于高压摆率误差放大器和摆率增强电路的无片外电容LDO

更新时间：2020-09-11 06:39:01 大小：2M 上传用户：IC老兵查看TA发布的资源 标签：电容ldo 下载积分：2分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

基于0.35μm CMOS工艺设计了一款无片外电容低压差线性稳压器（cap-free LDO）,通过误差放大器组成的环路控制稳态误差,通过摆率增强电路构成的环路改善瞬态响应。该LDO输出电压为1.72V,压差80mV,最大输出电流50mA。测试结果显示：负载电流（IL）在0.5μs内瞬变50mA时,俯冲电压和过冲电压均为80mV左右,重回稳态的时间均小于1.5μs。

A cap-free low-dropout regulator based on 0.35 μm CMOS process is proposed. The loop composed of error amplifier controls the static error and the loop composed of slew-rate enhancement circuit improves the system＇s transient responses. The output of LDO regulator is 1.72 V, and it can deliver 50 mA load current and 80 mV dropout. The test results show that the overshoot and undershoot is 80 mV when the load current Ii. changes 50 mA transiently within 0.5 μs, and the output can recover stable state within 1.5 μs.

部分文件列表

文件名 大小
基于高压摆率误差放大器和摆率增强电路的无片外电容LDO.pdf 2M

【关注视频号领20积分】   【关注公众号立即送20积分】

相关下载

全部评论(0)

暂无评论
评论赚积分>>

上传资源 上传优质资源有赏金

热门标签

更多>>

最新上传

  • 打赏
  • 30日榜单

热门下载

推荐下载

本站上的所有资源均为源于网上收集或者由用户自行上传，仅供学习和研究使用，无任何商业目的，版权归原作如有侵权，请 来信指出，本站将立即改正。

ICP许可证号：京ICP证070360号     21IC电子网 2000- 版权所有

京ICP备11013301号

京公网安备 11010802024343号