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高压LDMOS功率器件的研究
资料介绍
提出了一种适用于高低压电路集成的LDMOS器件结构，采用 Double RESURF技术和场板技术，耐压可达700 伏。
部分文件列表
| 文件名 | 大小 |
| 高压LDMOS功率器件的研究.pdf | 192K |
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