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IGBTPspice静态模型的建立与仿真
资料介绍
绝缘栅双极型晶体管（IGBT）集功率MOS管和双极型晶体管BJT优点于一身，具有易驱动、低通态压降、较快开关速度等特点，因此在电力电子装置中作为开关元件而广泛应用于主回路中。然而，在实际应用中，常常因各种原因造成IGBT的损坏。而且，随着对IGBT高电压大容量越来越高的要求，在国内，商用的高压大电流IGBT器件至今尚未出现，其电压和电流容量还很有限，远远不能满足电力电子应用技术发展的需求。应用建模与仿真技术研究IGBT功率器件，可以在较短的时间内用较低的成本进一步优化器件的结构、工艺，研究器件的特性，从而提高功率器件IGBT的使用率。
1IGBT的结构和基本功能
绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate BipolarTransistor，简称IGBT）是在功率MOSFET的基础上发展起来的u，IGBT的剖面结构如图1所示。其结构类似于功率MOSFET，两者主要区别是：IGBT结构中
用P’衬底代替功率MOSFET中的N’衬底，通过N*
以及P区的两次扩散或注入，自对准形成沟道，图2是标明MOSFET和PNP晶体管部分的IGBT剖面图。该器件有3个引出电极，衬底P接正电位，称IGBT器件的阳极或集电极C，也是PNP晶体管的发射极；表面N·接触电极通常接负或零电位，称IGBT器件的阴极或发射极E，也是NPN晶体管的发射极；通过栅介质引出的电极为IGBT的栅极G。
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