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IGBT基础知识全集

更新时间：2019-12-13 10:21:20 大小：2M 上传用户：xuzhen1查看TA发布的资源 标签：igbt 下载积分：0分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

IGBT ，中文名字为绝缘栅双极型晶体管，它是由MOSFET （输入级）和PNP 晶体管

（输出级）复合而成的一种器件，既有MOSFET 器件驱动功率小和开关速度快的特点

（控制和响应） ，又有双极型器件饱和压降低而容量大的特点（ 功率级较为耐用） ，频率

特性介于MOSFET 与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz 频率范围内。

理想等效电路与实际等效电路如图所示：

IGBT 的静态特性一般用不到，暂时不用考虑，重点考虑动态特性（开关特性） 。

动态特性的简易过程可从下面的表格和图形中获取：

IGBT 的开通过程

IGBT 在开通过程中，分为几段时间

1.与MOSFET 类似的开通过程，也是分为三段的充电时间

2.只是在漏源DS 电压下降过程后期， PNP 晶体管由放大区至饱和过程中增加了一

段延迟时间。

在上面的表格中，定义了了：开通时间Ton，上升时间Tr 和Tr.i

除了这两个时间以外，还有一个时间为开通延迟时间td.on:td.on=Ton-Tr.i

IGBT 在关断过程

IGBT 在关断过程中，漏极电流的波形变为两段。

第一段是按照MOS 管关断的特性的

第二段是在MOSFET 关断后， PNP 晶体管上存储的电荷难以迅速释放，造成漏极

电流较长的尾部时间。


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IGBT 系统  
IGBT ，中文名字为绝缘栅双极型 晶体管 ，它是由 MOSFET （输入级）和 PNP 晶体管  
（输出级）复合而成的一种器件，既有  
MOSFET 器件驱动功 率小和 开关速度快的特点  
功率级较为耐用），频率  
（控制和响应） ，又有双极型器件饱和压降低而容量大的特点（  
特性介于 MOSFET 与功率晶体管之间，可正常 工作于几十 kHz 频率范围内。  
理想等效电路与实际等效电路如图所示：  
IGBT 的静态特性一般用不到，暂时不用考虑，重点考虑动态特性（开关特性）  
。
动态特性的简易过程可从下面的表格和图形中获取：  
IGBT 的开通过程  
IGBT 在开通过程中，分为几段时间  
1.与 MOSFET 类似的开通过程，也是分为三段的充电时间  
2.只是在漏源 DS 电压下降过程后期， PNP 晶体管由放大区至饱和过程中增加了一  
段延迟时间。  
在上面的表格中，定义了了：开通时间  
Ton，上升时间 Tr 和 Tr.i  
td.on:td.on=Ton-Tr.i  
除了这两个时间以外，还有一个时间为开通延迟时间  
IGBT 在关断过程  
IGBT 在关断过程中，漏极电流的波形变为两段。  
第一段是按照 MOS 管关断的特性的  
第二段是在 MOSFET 关断后， PNP 晶体管上存储的电荷难以迅速释放，造成漏极  
电流较长的尾部时间。  
在上面的表格中，定义了了：关断时间  
Toff，下降时间 Tf 和 Tf.i  
除了表格中以外，还定义 trv 为 DS 端电压的上升时间和关断延迟时间  
td（off）。  
漏极电流的下降时间 Tf 由图中的 t（f1）和 t（f2）两段组成，而总的关断时间可以  
称为 toff=td （off）+trv 十 t（f），td （off ）+trv 之和又称为存储时间。  
从下面图中可看出详细的栅极电流和栅极电压，  
CE 电流和 CE 电压的关系：  
从另外一张图中细看 MOS 管与 IGBT 管栅极特性可能更有一个清楚的概念：  

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