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IGBT结构原理介绍
资料介绍
IGBT 的工作原理是什么?
IGBT 的等效电路如图1 所示。由图1 可知
知,若在IGBT 的栅极和发射极之间加上驱动正电压,则MOSFET 导通,这样PNP 晶体管的集电极与基极之间
成低阻状态而使得晶体管导通;若IGBT 的栅极和发射极之间电压为0V, 则MOSFET 截止,切断PNP 晶体管
基极电流的供给,使得晶体管截止。
由此可知,IGBT 的安全可靠与否主要由以下因素决定：
——IGBT 栅极与发射极之间的电压;
——IGBT 集电极与发射极之间的电压;
—— 流过IGBT 集电极－发射极的电流;
——IGBT 的结温。
如果IGBT 栅极与发射极之间的电压,即驱动电压过低,则IGBT 不能稳定正常地工作,如果过高超过栅极－发
射极之间的耐压则IGBT 可能永久性损坏;同样,如果加在IGBT 集电极与发射极允许的电压超过集电极－发
射极之间的耐压,流过IGBT 集电极－发射极的电流超过集电极－发射极允许的最大电流,IGBT 的结温超过
其结温的允许值,IGBT 都可能会永久性损坏。
绝缘栅极双极型晶体管（（IGBT ）
IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP 晶体管提供基极电流，使IGBT 导通。反之，
加反向门极电压消除沟道，流过反向基极电流，使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同，
只需控制输入极N 一沟道MOSFET，所以具有高输入阻抗特性。
当MOSFET 的沟道形成后，从P+基极注入到N 一层的空穴（少子），对N 一层进行电导调制，减小N
一层的电阻，使IGBT 在高电压时，也具有低的通态电压。
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