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IGBT结构原理介绍

更新时间：2019-12-02 08:43:24 大小：465K 上传用户：xuzhen1查看TA发布的资源 标签：igbt 下载积分：0分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

IGBT 的工作原理是什么?

IGBT 的等效电路如图1 所示。由图1 可知

知,若在IGBT 的栅极和发射极之间加上驱动正电压,则MOSFET 导通,这样PNP 晶体管的集电极与基极之间

成低阻状态而使得晶体管导通;若IGBT 的栅极和发射极之间电压为0V, 则MOSFET 截止,切断PNP 晶体管

基极电流的供给,使得晶体管截止。

由此可知,IGBT 的安全可靠与否主要由以下因素决定：

——IGBT 栅极与发射极之间的电压;

——IGBT 集电极与发射极之间的电压;

—— 流过IGBT 集电极－发射极的电流;

——IGBT 的结温。

如果IGBT 栅极与发射极之间的电压,即驱动电压过低,则IGBT 不能稳定正常地工作,如果过高超过栅极－发

射极之间的耐压则IGBT 可能永久性损坏;同样,如果加在IGBT 集电极与发射极允许的电压超过集电极－发

射极之间的耐压,流过IGBT 集电极－发射极的电流超过集电极－发射极允许的最大电流,IGBT 的结温超过

其结温的允许值,IGBT 都可能会永久性损坏。

绝缘栅极双极型晶体管（（IGBT ）

IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP 晶体管提供基极电流，使IGBT 导通。反之，

加反向门极电压消除沟道，流过反向基极电流，使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同，

只需控制输入极N 一沟道MOSFET，所以具有高输入阻抗特性。

当MOSFET 的沟道形成后，从P+基极注入到N 一层的空穴（少子），对N 一层进行电导调制，减小N

一层的电阻，使IGBT 在高电压时，也具有低的通态电压。


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IGBT 的工作原理是什么 ?  
IGBT 的等效电路如图 1 所示。由图 1 可知  
知,若在 IGBT 的栅极和发射极之间加上驱动正电压  
,则 MOSFET 导通,这样 PNP 晶体管的集电极与基极之间  
成低阻状态而使得晶体管导通  
;若 IGBT 的栅极和发射极之间电压为  
0V, 则 MOSFET 截止,切断 PNP 晶体管  
基极电流的供给 ,使得晶体管截止。  
由此可知 ,IGBT 的安全可靠与否主要由以下因素决定：  
——IGBT 栅极与发射极之间的电压 ;  
——IGBT 集电极与发射极之间的电压  
;
——流过 IGBT 集电极－发射极的电流 ;  
——IGBT 的结温。  
如果 IGBT 栅极与发射极之间的电压 ,即驱动电压过低 ,则 IGBT 不能稳定正常地工作 ,如果过高超过栅极－发  
射极之间的耐压则 IGBT 可能永久性损坏 ;同样,如果加在 IGBT 集电极与发射极允许的电压超过集电极－发  
射极之间的耐压 ,流过 IGBT 集电极－发射极的电流超过集电极－发射极允许的最大电流  
其结温的允许值 ,IGBT 都可能会永久性损坏。  
,IGBT 的结温超过  
绝缘栅极双极型晶体管（（IGBT ）  

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