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IGBT模块的栅极特性
资料介绍
IGBT模板的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄,其击穿电压一般只能达到20~30V,因此栅极击穿是IGBT模板失效的常见原因之一。在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极最大额定电压,但栅极连线的寄生电感和栅极一集电极间的电容耦合,也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此。通常采用绞线来传送驱动信号,以减小寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。
由于IGBT模板的栅极一发射极和栅极一集电极间存在着分布电容Cge和Cgc,以及发射极驱动电路中存在有分布电感Le,这些分布参数的影响,使得IGBT模板的实际驱动波形与理想驱动波形不完全相同,并产生了不利于IGBT模极开通和关断的因素。这可以用带续流二极管的电感负载电路得到验证。
首先,发射极电路中的分布电感Le上的感应电压随着集电极电流ic的增加而加大,从而削弱了栅极驱动电压,并且降低了栅极一发射极间的uge的上升率,减缓了集电极电流的增长。
其次,另一个影响栅极驱动电路电压的因素是栅极一集电极电容Cgc的密勒效应。t2时刻,集电极电流达到最大值,进而栅极一集电极间电容Cgc开始放电,在驱动电路中增加了Cgc的容性电流,使得在驱动电路内阻抗上的压降增加,也削弱了栅极驱动电压。显然,栅极驱动电路的阻抗越低,这种效应越弱,此效应一直维持到t3时刻,uce降到零为止。它的影响同样减了1GBT的开通过程。在t3时刻后,ic达到稳态值,影响栅极电压uge的因素消失后,uge以较快的上升率达到最大值。
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IGBT模块的栅极特性.pdf | 157K |
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资料:bitboy
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