积分商城

最新搜索： 推完开关电源 CH340 排插 入门教程 canopen TMC5160
您现在的位置是：首页 > 经验 > IGBT模块损坏的原因
推荐星级：
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5

IGBT模块损坏的原因

更新时间：2019-11-21 10:01:36 大小：79K 上传用户：yangleifox查看TA发布的资源 标签：igbt 下载积分：2分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

IGBT 在使用过程中经常受到容性或感性负载的冲击，承受过负荷甚至负载短 路等，可能导致 IGBT 损坏。IGBT 模块在使用时的损坏原因主要有以下几种情况。

部分文件列表

文件名 大小
IGBT模块损坏的原因.pdf 79K

【关注视频号领20积分】   【关注公众号立即送20积分】

部分页面预览

（完整内容请下载后查看）
IGBT模块损坏的原因  
承受过负荷甚至负载短  
路等，可能导致 IGBT损
(1)过电流损坏  
①锁定效应。IGBT为复合器件，其内有一个寄生晶闸管，在规定的漏极电  
流范围内，NPN的正偏压不足以使 NPN晶体管导通，当漏极电流大到一定程度时，  
这个正偏压足以使 NPN晶体管开通，进而使 NPN或 PNP晶体管处于饱和状态，于  
是寄生晶闸管开通，栅极失去了控制作用，便发生了锁定效应。IGBT发生锁定  
效应后，集电极电流过大，造成了过高的功耗而导致器件损坏。  
②长时间过流运行。IGBT模块长时间过流运行是指 IGBT的运行指标达到或  
超出 RBSOA（反偏安全工作区）所限定的电流安全边界（如选型失误、安全系数  
偏小等），出现这种情况时，电路必须能在电流到达 RBSOA限定边界前立即关断  
器件，才能达到保护器件的目的。  
③短路超时(>10us)。短路超时是指 IGBT所承受的电流值达到或超出 SCSOA  
（短路安全工作区）所限定的最大边界，比如 4-5倍额定电流时，必须在 10us  
之内关断 IGBT。如果此时 IGBT所承受的最大电压也超过器件标称值， IGBT必  
须在更短的时间内被关断。  
(2)过电压损坏和静电损坏  
IGBT在关断时，由于逆变电路中存在电感成分，关断瞬间产生尖峰电压，  
如果尖峰电压超过 IGBT器件的最高峰值电压，将造成 IGBT击穿损坏。IGBT过  
电压损坏可分为集电极-栅极过电压、栅极-发射极过电压、高 du/dt过压电等。  
大多数过电压保护的电路设计都比较完善，但是对于由高 du/dt所导致的过电压  
故障，基本上都是采用无感电容或者 RCD结构吸收电路。由于吸收电路设计的吸  
收容量不够而造成 IGBT损坏，对此可采用电压钳位，往往在集电极-栅极两端并  
接齐纳二极管，采用栅极电压动态控制，当集电极电压瞬间超过齐纳二极管的钳  
位电压时，超出的电压将叠加在栅极上（米勒效应起作用），避免了 IGBT因受  
集电极发射极过电压而损坏。  
采用栅极电压动态控制可以解决过高的 du/dt带来的集电极发射极瞬间过  
电压问题，但是它的弊端是当 IGBT处于感性负载运行时，半桥结构中处于关断  
的 IGBT，由于其反并联二极管（续流二极管）的恢复，其集电极-发射极两端的  

相关下载

全部评论(0)

暂无评论
评论赚积分>>

上传资源 上传优质资源有赏金

热门标签

更多>>

最新上传

  • 打赏
  • 30日榜单

热门下载

推荐下载

本站上的所有资源均为源于网上收集或者由用户自行上传，仅供学习和研究使用，无任何商业目的，版权归原作如有侵权，请 来信指出，本站将立即改正。

ICP许可证号：京ICP证070360号     21IC电子网 2000- 版权所有

京ICP备11013301号

京公网安备 11010802024343号