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ald原子层沉积设备原理特点
资料介绍
1. ALD的基本原理
自限制性表面反应：ALD通过交替通入两种或多种前驱体气体，利用材料表面化学吸附的自限制性，逐层生长薄膜。每循环仅沉积单原子层，实现原子级厚度控制。
典型步骤：
前驱体A脉冲：前驱体A吸附在基底表面，形成单层。
惰性气体吹扫：清除未反应的前驱体A和副产物。
前驱体B脉冲：前驱体B与前驱体A反应，形成化学键合的薄膜层。
二次吹扫：去除多余前驱体B及副产物。
重复循环直至达到目标厚度。
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| 文件名 | 大小 |
| 原子层沉积.ppt | 6M |
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