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三相并网逆变器设计参数
资料介绍
碳化硅的三级三相直流/交流并网逆变器设计。
1、 使用50kHz开关频率降低了滤波器磁性元件的设计尺寸，并因此提高了功率密度。
2、 使用具有开关损耗抑制功能的碳化硅 MOS管，应用到高达1000V~1200V直流母线电压中，并且有更低的开关
损耗，并具有99% 的峰值效率。此设计可配置为两级或三级逆变器。
部分文件列表
| 文件名 | 大小 |
| 三相并网逆变器设计参数.pdf | 6M |
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