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一种快速升压的片上电荷泵电路设计

更新时间：2020-08-29 06:36:24 大小：246K 上传用户：IC老兵查看TA发布的资源 标签：快速升压 下载积分：5分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

设计了一种快速升压的片上电荷泵电路,该电路由时钟产生电路和电荷泵核组成。电荷泵核基于传统Dickson电荷结构,在前四级引入预充管,增加节点初始电压,提高电荷泵升压速度,时钟产生电路能产生占空比约为30%的稳定时钟信号,用它驱动电荷泵核可以减小充放电流失配等问题,进一步提高电荷泵升压速度。基于华虹NEC 0.35μs CMOS工艺,HSPICE仿真结果显示：在5 V电源电压下,电荷泵仅需要57.625μs就可以从0升压到20 V,比传统的MOS管Dickson电荷泵快了20.055μs。

A circuit of fast-setting charge pump on-chip is designed based on the Dickson circuit. The charge pump circuit,which is improved,increases the initial node voltage. With the consideration of the current mismatch,the accurate clock of the duty circle about 30% is proposed. The HSPICE simulation result indicates that the setting time from 0 V to 20 V only needs 57. 625 μs for the charge pump,and it is faster than the traditional MOSFET Dickson charge pump 20. 055 μs.

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