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A1SHB规格书
资料介绍
A1SHB（HU2301是PMOS管 HU2302是NMOS管。
A1SHB（HU2301）PMOS管。
晶体管类型 ： P沟道MOSFET
最.大功耗PD ： 1.25W
漏源电压VDS ：－20V（极限值）
漏极电流ID：TA=25°时：-2.2A，TA=70°时：-1.4A
栅极漏电流IGSS：±100nA。
A2SHB（HU2302）NMOS管。
晶体管类型 ： N沟道MOSFET
最.大功耗PD ： 1.25W
漏源电压VDS ：20V（极限值）
漏极电流ID：TA=25°时：3.0A，TA=70°时：2.2A
栅极漏电流IGSS：±10uA。
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| 文件名 | 大小 |
| HU2301,P沟道MOS管SOT-23_-_副本.pdf | 740K |
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