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A1SHB规格书
资料介绍
A1SHB(HU2301是PMOS管 HU2302是NMOS管。
A1SHB(HU2301)PMOS管。
晶体管类型 : P沟道MOSFET
最.大功耗PD : 1.25W
漏源电压VDS :-20V(极限值)
漏极电流ID:TA=25°时:-2.2A,TA=70°时:-1.4A
栅极漏电流IGSS:±100nA。
A2SHB(HU2302)NMOS管。
晶体管类型 : N沟道MOSFET
最.大功耗PD : 1.25W
漏源电压VDS :20V(极限值)
漏极电流ID:TA=25°时:3.0A,TA=70°时:2.2A
栅极漏电流IGSS:±10uA。
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文件名 | 大小 |
HU2301,P沟道MOS管SOT-23_-_副本.pdf | 740K |
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