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面向存储芯片的先进封装中玻璃基板技术在下一代HBM和Chiplet中的应用.docx
资料介绍
面向存储芯片的先进封装中玻璃基板技术在下一代HBM和Chiplet中的应用
——从有机基板到玻璃基板的封装材料变革
引言
玻璃基板技术是存储芯片先进封装中的重要材料创新。在HBM和Chiplet封装中，传统的有机基板在尺寸稳定性、热管理和细线宽方面面临瓶颈。玻璃基板具有低CTE、高尺寸稳定性和良好的高频特性，可以支持更细的线宽和更密集的互连，满足下一代HBM和Chiplet的高密度互连需求。本文系统分析面向存储芯片的先进封装中玻璃基板技术，从有机基板到玻璃基板的封装材料变革路径。
玻璃基板的材料特性
物理特性
玻璃基板的物理特性优势：
1. 低CTE：玻璃的CTE约3.5ppm/K至5ppm/K，与硅芯片的CTE（2.6ppm/K）接近，降低热膨胀失配。
2. 高尺寸稳定性：玻璃的尺寸稳定性优于有机基板，在温度变化和湿度变化时，尺寸变化小。
3. 高平整度：玻璃的表面平整度高，适合高精度光刻和细线宽制作。
电学特性
玻璃基板的电学特性优势：
1. 低介电常数：玻璃的介电常数约4至6，低于有机基板的3至4，但高于硅的11.9。
2. 低介电损耗：玻璃的介电损耗约0.002至0.005，低于有机基板的0.01至0.02，适合高频信号传输。
3. 高电阻率：玻璃的电阻率大于10¹⁴Ω·cm，绝缘性能好，减少信号串扰。
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