- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
面向存储芯片的先进工艺中芯片堆叠与异构集成技术从HBM到Chiplet的演进.docx
资料介绍
面向存储芯片的先进工艺中芯片堆叠与异构集成技术从HBM到Chiplet的演进
——从垂直堆叠到水平扩展的存储芯片集成架构
引言
芯片堆叠与异构集成技术是存储芯片实现高密度、高带宽和低功耗的关键技术路径。从HBM的垂直堆叠到Chiplet的水平扩展，存储芯片的集成架构经历了从简单堆叠到异构集成的演进。HBM通过TSV和微凸块将多层DRAM芯片垂直堆叠，实现了高带宽的存储访问。Chiplet通过将不同功能的芯片（如存储控制器、NAND闪存和接口芯片）封装在一起，实现了模块化的存储系统。本文系统分析面向存储芯片的先进工艺中芯片堆叠与异构集成技术。
芯片堆叠技术
垂直堆叠
垂直堆叠通过TSV和微凸块实现芯片的垂直互联：
1. TSV：硅通孔通过刻蚀和电镀在芯片中制作，穿过硅衬底，实现垂直互连，TSV直径约5μm至10μm。
2. 微凸块：芯片之间的微凸块互连，微凸块间距从40μm缩小到20μm，互连密度提高4倍。
3. 混合键合：Cu-Cu混合键合实现芯片间的直接键合，键合间距缩小到1μm以下，互连密度提高100倍以上。
HBM堆叠
HBM（高带宽存储器）的堆叠架构：
1. DRAM芯片堆叠：HBM3E支持12层DRAM芯片堆叠，HBM4支持16层，每层厚度约30μm至50μm。
2. 逻辑基片：在HBM堆叠的底部配置逻辑基片，包含I/O电路和测试电路，逻辑基片采用先进工艺节点。
3. TSV互连：DRAM芯片通过TSV垂直互连，TSV穿过DRAM芯片，连接各层的存储阵列。
部分文件列表
| 文件名 | 大小 |
| 面向存储芯片的先进工艺中芯片堆叠与异构集成技术从HBM到Chiplet的演进.docx | 39K |
最新上传
- 打赏
- 30日榜单
-
21ic小能手 打赏10.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏10.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏5.00元 3天前
-
21ic下载 打赏310.00元 3天前
用户：江岚
-
21ic下载 打赏310.00元 3天前
用户：mulanhk
-
21ic下载 打赏320.00元 3天前
用户：jh03551
-
21ic下载 打赏220.00元 3天前
用户：jh0355
-
21ic下载 打赏210.00元 3天前
用户：潇潇江南
-
21ic下载 打赏210.00元 3天前
用户：小猫做电路
-
21ic下载 打赏60.00元 3天前
用户：gsy幸运
-
21ic下载 打赏60.00元 3天前
用户：zhengdai
-
21ic下载 打赏60.00元 3天前
用户：lanmukk
-
21ic下载 打赏60.00元 3天前
用户：烟雨
-
21ic下载 打赏20.00元 3天前
用户：w993263495
-
21ic下载 打赏30.00元 3天前
用户：sun2152
-
21ic下载 打赏20.00元 3天前
用户：w178191520
-
21ic下载 打赏20.00元 3天前
用户：liqiang9090
-
21ic下载 打赏20.00元 3天前
用户：xuzhen1
-
21ic下载 打赏35.00元 3天前
用户：有理想666
-
21ic下载 打赏15.00元 3天前
用户：w1966891335
-
21ic下载 打赏15.00元 3天前
用户：x15580286248
-
21ic下载 打赏25.00元 3天前
用户：qiufeng0299
-
21ic下载 打赏15.00元 3天前
用户：kk1957135547
-
21ic下载 打赏10.00元 3天前
用户：qingsong08
-
21ic下载 打赏10.00元 3天前
用户：电工老刘
-
21ic小能手 打赏5.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏5.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏5.00元 3天前
-
ZENGYIBIN 打赏1.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏10.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏5.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏5.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏5.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏5.00元 3天前
资料：STM32的数字万用表
-
21ic小能手 打赏5.00元 3天前
-
kuangwy 打赏1.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏5.00元 3天前
资料：触控无极台灯控制方案
-
21ic小能手 打赏5.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏5.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏5.00元 3天前
资料：51单片机的汽车雨刷器
全部评论(0)