- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
GAA全环绕栅极技术概述
资料介绍
一、技术定义与发展背景
GAA（Gate-All-Around）全环绕栅极技术是当前半导体行业先进制程中的关键结构创新，属于多栅极晶体管（Multi-Gate FET）的重要分支。其核心特征是采用三维结构使栅极完全包裹沟道区域，从传统平面晶体管的"平面控制"升级为"立体环绕控制"，从而显著提升对沟道电流的调控能力。
该技术的发展源于摩尔定律演进中的物理极限挑战：当制程节点推进至7nm以下时，传统FinFET结构面临短沟道效应加剧、漏电流增大、栅极控制能力减弱等问题。GAA通过将沟道从鳍状（Fin）转变为纳米线（Nanowire）或纳米片（Nanosheet）形态，实现栅极对沟道的360°环绕，成为延续摩尔定律的重要技术路径。目前，GAA技术已在3nm及以下先进制程中实现量产应用，代表着半导体器件物理结构的新一代突破。
二、核心结构与工作原理
GAA晶体管的基本结构包括以下关键部分：
· 纳米沟道：采用直径5-20nm的纳米线或厚度5-10nm的纳米片作为导电沟道，材料通常为硅（Si）或硅锗（SiGe）合金，部分先进工艺采用III-V族化合物半导体以提升电子迁移率
· 全环绕栅极：栅极材料（通常为高k金属栅极，High-k Metal Gate）完全包裹纳米沟道，形成环形控制结构，栅氧层厚度可控制在1-2nm
· 源漏极：采用 Raised Source/Drain 结构，通过离子注入形成重掺杂区域，与沟道形成欧姆接触
部分文件列表
| 文件名 | 大小 |
| GAA全环绕栅极技术概述.docx | 17K |
最新上传
- 打赏
- 30日榜单
-
Lzhf918@ 打赏10.00元 3天前
-
21ic下载 打赏310.00元 3天前
用户：mulanhk
-
21ic下载 打赏310.00元 3天前
用户：lanmukk
-
21ic下载 打赏310.00元 3天前
用户：zhengdai
-
21ic下载 打赏240.00元 3天前
用户：江岚
-
21ic下载 打赏240.00元 3天前
用户：潇潇江南
-
21ic下载 打赏210.00元 3天前
用户：gsy幸运
-
21ic下载 打赏70.00元 3天前
用户：小猫做电路
-
21ic下载 打赏120.00元 3天前
用户：jh0355
-
21ic下载 打赏110.00元 3天前
用户：jh03551
-
21ic下载 打赏70.00元 3天前
用户：liqiang9090
-
21ic下载 打赏45.00元 3天前
用户：有理想666
-
21ic下载 打赏20.00元 3天前
用户：w178191520
-
21ic下载 打赏40.00元 3天前
用户：烟雨
-
21ic下载 打赏20.00元 3天前
用户：eaglexiong
-
21ic下载 打赏20.00元 3天前
用户：sun2152
-
21ic下载 打赏20.00元 3天前
用户：xuzhen1
-
21ic下载 打赏15.00元 3天前
用户：kk1957135547
-
21ic下载 打赏15.00元 3天前
用户：w993263495
-
21ic下载 打赏15.00元 3天前
用户：x15580286248
-
21ic下载 打赏15.00元 3天前
用户：w1966891335
-
小猫做电路 打赏830.00元 3天前
-
gsy幸运 打赏880.00元 3天前
-
zhengdai 打赏730.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏10.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏10.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏5.00元 3天前
资料：STM32智能交流电检测
-
21ic小能手 打赏5.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏5.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏10.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏10.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏15.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏10.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏10.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏5.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏5.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏5.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏5.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏5.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏5.00元 3天前
全部评论(0)