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扇出型晶圆级封装FOWLP技术详解.docx
资料介绍
扇出型晶圆级封装FOWLP技术详解
一、引言
扇出型晶圆级封装是先进封装技术体系中成熟度最高、应用最广泛的技术路线之一。FOWLP将芯片重新埋入重构晶圆，在芯片表面和芯片区域之外构建RDL布线层，实现I/O触点的扇出扩展。FOWLP省去了传统封装基板，封装厚度更薄、尺寸更小、电气性能更优，在手机处理器、射频前端和电源管理芯片中广泛应用。
二、FOWLP的基本原理
2.1 扇入与扇出的区别
扇入型WLP中，芯片的I/O触点局限在芯片投影面积范围内，引脚数受芯片面积限制。扇出型WLP将I/O触点扩展到芯片区域之外，可以支持更多引脚数和更灵活的布线，解决了芯片面积缩小与引脚数增加之间的矛盾。
2.2 重构晶圆技术
FOWLP的核心工艺是将切割后的裸芯片重新贴装到临时载板上，芯片之间有预设的间距，然后用环氧模塑料填充芯片之间的空隙，形成重构晶圆。重构晶圆的尺寸与标准晶圆一致，可以在现有晶圆级生产线上处理。
三、FOWLP的工艺流程
3.1 芯片贴装
将切割后的裸芯片面朝下贴装到带有黏合层的临时载板上，芯片的精确位置由贴片机控制。
3.2 塑封
使用环氧模塑料通过压缩成型或转移成型工艺填充芯片之间的空隙，塑封料固化后形成重构晶圆。
3.3 载板剥离
将临时载板剥离，露出芯片的活性面，然后在重构晶圆表面制作RDL布线层。
3.4 RDL制作
通过光刻和电镀工艺在重构晶圆表面制作多层RDL，RDL将芯片的I/O焊盘连接到芯片区域之外的新焊盘位置。
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