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闪存（Flash Memory）
资料介绍
一、基础定义与核心原理
闪存（Flash Memory）是一种非易失性半导体存储器，即在无电源供给的情况下仍然能够长期稳定保存数据，它本质上属于EEPROM（电可擦除可编程只读存储器）的特殊分支，区别于传统EEPROM按字节擦除的规则，闪存以固定大小的块为单位进行擦除操作，因此兼具高存储密度、低成本与较快读写速度的综合优势，是当前消费电子、工业存储领域应用最广泛的存储介质之一。
闪存的核心存储单元基于浮栅晶体管（Floating Gate Transistor）结构构建，每一个存储单元可以存储1比特或多比特数据：
1. 浮栅结构原理：浮栅晶体管在普通MOSFET的栅极与沟道之间增加了一层被二氧化硅绝缘层包裹的多晶硅浮栅，只有电子能够通过量子隧穿效应进入或离开浮栅。当浮栅中积累一定数量的电子后，会改变晶体管的阈值电压，通过检测阈值电压的差异，就能区分存储单元中存储的“0”和“1”两种状态。
2. 擦写操作逻辑：写入操作通过“热电子注入”或“隧穿注入”将电子注入浮栅，改变存储单元状态；擦除操作则是向栅极施加反向电压，让浮栅中的电子穿过绝缘层离开，回到初始状态。由于擦除必须按块执行，因此闪存无法像随机存储器（RAM）一样直接对单个字节进行改写，写入新数据前必须先擦除对应块，这也是闪存存在写入放大效应的根本原因。
二、主流技术分类
根据存储单元结构与应用场景的不同，主流闪存可以分为两大类：NOR闪存与NAND闪存，两类产品的特性差异极大，分别覆盖不同的应用领域。
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