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交叉阵列结构FeRAM.
资料介绍
铁电随机存储器（Ferroelectric Random Access Memory，FeRAM）是一种基于铁电材料极化翻转特性实现数据存储的非易失性存储器，相较于传统的浮栅型Flash、动态随机存储器DRAM，具有读写速度快、功耗低、抗辐射能力强、擦写寿命长等突出优势，在物联网、工业控制、航天航空等领域有着广阔的应用前景。交叉阵列结构作为FeRAM最具发展潜力的阵列架构之一，因具有单元面积小、集成度高、工艺简单等特点，成为高密度FeRAM研发的核心方向之一。
一、交叉阵列结构FeRAM的基本架构与工作原理
1. 基本架构组成
交叉阵列结构FeRAM的核心架构由多条平行的字线（Word Line，WL）、多条平行的位线（Bit Line，BL）以及位于字线与位线交叉点处的存储单元构成，字线与位线相互垂直交叉，每个交叉点仅布置一个存储单元，整体结构呈现规则的网格状分布。这种架构与传统的1T1C（一个晶体管一个电容）FeRAM阵列相比，省去了每个单元外围的选择晶体管，单元结构大幅简化，单元面积可以缩小到4F2（F为特征尺寸），远小于1T1C结构的8~10F2，能够大幅提升存储密度，降低制造成本。
根据存储单元与选通器件的集成方式，交叉阵列结构FeRAM可以分为两类，一类是无源交叉阵列，即交叉点处仅集成铁电电容，不额外集成选通器件，结构最为简单；另一类是有源交叉阵列，即每个交叉点处集成铁电电容与选通器件（如二极管、阈值切换型阈值开关OTS、原子开关等），通过选通器件抑制漏电流，解决串扰问题。
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