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面向存储芯片的先进工艺中极紫外EUV光刻的掩模版缺陷检测与修复技术.docx
资料介绍
面向存储芯片的先进工艺中极紫外EUV光刻的掩模版缺陷检测与修复技术
——从多层反射镜到吸收层的EUV掩模版质量控制
引言
EUV光刻是存储芯片先进工艺中的关键图形化技术，其掩模版的质量直接影响光刻的精度和良率。EUV掩模版由多层钼/硅反射镜和吸收层组成，结构复杂，缺陷检测和修复的难度远高于深紫外光刻掩模版。EUV掩模版中的缺陷包括多层反射镜的相位缺陷和吸收层的振幅缺陷，缺陷尺寸需控制在10nm以下。本文系统分析面向存储芯片的先进工艺中EUV光刻的掩模版缺陷检测与修复技术。
EUV掩模版的结构
多层反射镜
EUV掩模版的多层反射镜结构：
1. Mo/Si多层膜：由40至60层钼和硅交替沉积，每层厚度约3nm至4nm，在13.5nm波长下反射率约70%。
2. 反射原理：EUV光在多层膜的界面发生布拉格反射，反射率由多层膜的周期厚度和界面粗糙度决定。
3. 缺陷类型：多层膜中的颗粒、凹陷和凸起导致相位缺陷，反射光的相位变化导致光刻图形畸变。
吸收层
EUV掩模版的吸收层结构：
1. 吸收材料：采用钽基材料（如TaBN、TaBO）或镍基材料，厚度约50nm至80nm，对EUV光的吸收率约90%以上。
2. 图形定义：吸收层通过电子束光刻和刻蚀定义图形，吸收层的图形决定了晶圆上的光刻图形。
3. 缺陷类型：吸收层中的缺失、桥接和残留导致振幅缺陷，吸收率的变化导致光刻图形的尺寸偏差。
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