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紫外线擦除EPROM

更新时间：2026-06-14 11:28:40 大小：15K 上传用户：潇潇江南查看TA发布的资源 标签：eprom 下载积分：2分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

一、基本概念与发展背景

紫外线擦除可擦除可编程只读存储器（Ultraviolet-Erasable Programmable Read-Only Memory，UV-EPROM）是早期非易失性半导体存储器的典型代表，属于ROM（只读存储器）家族中的可改写分支。只读存储器的核心特点是断电后数据不会丢失，而早期ROM分为掩膜ROM（厂家出厂时固化数据，无法修改）和可编程ROM（PROM，用户仅可一次性写入），UV-EPROM的出现解决了“多次重复擦写”的需求，让芯片开发阶段的程序调试、小批量定制存储成为可能，在20世纪70年代到90年代被广泛应用于微控制器、BIOS芯片、工业控制设备等领域。

UV-EPROM的核心发明基础在于浮栅晶体管结构，1967年贝尔实验室提出浮栅存储概念，之后英特尔在1971年推出了首款商用UV-EPROM产品，奠定了非易失可擦写存储的技术路线，后续发展出的EEPROM、Flash闪存都继承了浮栅存储的核心设计思路。

二、存储原理与核心结构

1. 基本存储单元结构

UV-EPROM的基本存储单元是浮栅雪崩注入MOS晶体管（FAMOS），核心结构分为两层栅极：

· 控制栅极：对外引出电极，用于读写时施加电压控制；

· 浮栅：完全被二氧化硅（SiO₂）绝缘层包围，没有外部引出，电子进入浮栅后会被长期困住，正常工作环境下可保存数据长达十年以上。

2. 写入原理

写入操作利用了雪崩击穿效应：当给控制栅极和漏极施加足够高的正电压（通常12V-25V）时，漏源之间发生雪崩击穿，产生大量高能热电子，部分电子会获得足够能量穿过二氧化硅绝缘层进入浮栅，浮栅积累负电荷后，会改变MOS管的阈值电压：写入信息的单元，阈值电压升高，正常读取电压（通常5V）下不会导通；未写入信息的单元，阈值电压较低，读取电压下正常导通，分别对应二进制的“0”和“1”（或相反定义，依芯片设计而定）。


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