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高速EML激光器芯片技术从100G到200G的演进路径.docx

更新时间：2026-08-12 09:05:05 大小：39K 上传用户：江岚查看TA发布的资源 标签：高速EML激光器G到200G演进电吸收调制激光器DFB激光器光模块芯片 下载积分：2分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

高速EML激光器芯片技术从100G到200G的演进路径

引言

电吸收调制激光器（EML）将分布式反馈激光器（DFB）与电吸收调制器（EAM）单片集成在同一芯片上，实现了低啁啾、高调制速率和长传输距离的优异性能。2026年，EML芯片在高速光模块市场中占据着核心地位，100G EML已成800G光模块的主力光源，200G EML正进入量产阶段，400G EML已在研发中。全球EML芯片市场呈现高度集中的寡头垄断格局，Lumentum、Coherent、博通三家公司合计占据全球超70%市场份额，供需缺口维持在20%至30%之间，为国产厂商创造了难得的替代窗口期。

EML芯片工作原理

结构与集成

EML芯片将DFB激光器和EAM电吸收调制器集成在同一外延片上，通过单片集成工艺实现激光产生和高速调制两大功能。DFB部分负责产生连续波激光，EAM部分通过施加电压改变材料的吸收系数，实现对激光功率的高速调制。

EML芯片的核心优势在于EAM调制器产生的啁啾远低于DFB的直接调制，使得信号可在光纤中传输更远的距离而不失真，适合5G中回传和电信骨干网等长距离应用。

关键工艺

1. 外延生长：通过MOCVD在InP衬底上生长多层量子阱结构，是EML芯片最关键的工艺步骤

2. 光栅制作：在DFB部分制作布拉格光栅，实现单纵模激射

3. 调制器集成：将EAM调制器与DFB通过对接生长或选区外延集成

4. 端面镀膜：在芯片两端镀增透膜和高反膜，优化激光输出特性

100G EML技术

技术指标

100G EML（单波100Gbps，PAM4调制）是800G光模块的标准光源方案。2026年，100G EML的技术指标已趋成熟，调制带宽超过30GHz，输出光功率大于5mW，消光比大于6dB。8颗100G EML组成800G FR8方案，覆盖CWDM8波长网格的1271至1341nm波段。


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