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光刻技术从DUV到EUV在存储芯片制造中的演进.docx
资料介绍
光刻技术从DUV到EUV在存储芯片制造中的演进
1 引言
光刻（Lithography）是半导体制造中图形转移的核心工艺，其分辨率直接决定芯片制程的极限。在存储芯片领域，DRAM的微缩化演进依赖EUV光刻技术的引入，3D NAND虽以堆积层数为主要方向，但外围CMOS电路的制程仍需要先进光刻技术的支持。2026年，随着High-NA EUV光刻机进入量产阶段，存储芯片的光刻技术正经历从DUV多重重曝光到EUV单次曝光的范式转变。
3 EUV光刻在DRAM制造中的应用
EUV光刻在DRAM制造中的应用是近年来最重要的技术变革之一。SK海力士自2021年起率先在DRAM量产线中引入EUV，2026年其EUV采购预算达80亿美元。三星电子也已将EUV应用于DRAM的关键层曝光。
EUV在DRAM中的核心优势在于：
1. 减少多重曝光：单次EUV曝光替代3-4次DUV多重曝光，显著降低工艺复杂度和缺陷密度
2. 提升图形精度：EUV的短波长实现更精细的图形，支持1b/1c节点的关键尺寸控制
3. 缩短工艺流程：光罩数量从3张减少至1张，制程步骤从100步缩减至10步
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