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DRAM 1T1C存储单元结构晶体管与电容器的纳米级集成.docx
资料介绍
DRAM 1T1C存储单元结构：晶体管与电容器的纳米级集成
摘要
DRAM存储单元采用1T1C（一个晶体管+一个电容器）结构，是自1967年发明以来持续半个多世纪的工程奇迹。晶体管控制对存储单元的访问，电容器通过存储电荷来表示二进制0或1。随着工艺节点向10nm以下推进，电容器深宽比已突破80:1，制造难度极大。本文从1T1C结构原理、电容器制造挑战、晶体管设计与刷新机制等维度，系统分析DRAM存储单元的核心技术。
一、1T1C结构原理
DRAM存储单元由一个存取晶体管和一个存储电容器构成。晶体管控制对存储单元的访问，字线连接栅极，位线连接源极/漏极。电容器存储电荷，有电荷代表"1"，无电荷代表"0"。
二、电容器制造挑战
DRAM电容器需在极窄的结构中堆出能存储足够电荷的柱状电容，深宽比接近100:1。电容器约1000纳米高，直径仅数十纳米。蚀刻出又直又窄的孔轮廓极为困难，需要在孔壁上沉积数纳米厚的多个无缺陷层。
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| DRAM_1T1C存储单元结构晶体管与电容器的纳米级集成.docx | 37K |
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